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[Vishay] 行業標準 SOT-227 封裝的 1200 V SiC MOSFET 功率模組提升功率效率
2026-03-19

行業標準 SOT-227 封裝的 1200 V SiC MOSFET 功率模組提升功率效率

來源: Vishay 威世科技

1200 V MOSFET 功率模組

這些器件可作為中高頻應用中競品的“隨插即用”型替代方案

Vishay 宣佈，推出五款全新的 1200 V MOSFET 功率模組，其目標在於提升汽車、能源、工業及通信系統中高頻應用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120 和 VS-SF200SA120 採用了Vishay最新一代碳化矽（SiC）MOSFET，並且以行業標準的 SOT-227 形式進行封裝。

此次推出的每個功率模組都採用單開關和低邊斬波器配置，內置的 SiC MOSFET 集成了軟體二極體，可實現低反向恢復特性。這種設計降低了開關損耗，提高了效率，可適用於太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電器、SMPS、直流/直流轉換器、不斷電供應系統（UPS）、暖通空調（HVAC）系統、大規模電池儲能系統以及通信電源設備等領域。

VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120 和 VS-SF200SA120 採用緊湊型的 SOT-227 封裝，使得這些器件能夠作為現有設計中競品的“隨插即用”型替代方案。這樣，設計人員無需對 PCB 佈局進行更改，即可採用最新的 SiC 技術，從而節省成本。模壓封裝還可提供高達 2500 V（一分鐘）的電氣絕緣，通過消除元件與散熱器之間對額外絕緣措施的需求，進一步降低了成本。

這些功率模組提供 50 A 至 200 A 的連續漏極電流，導通電阻低至 12.1 mΩ。這些器件符合 RoHS 標準，具備低電容高速開關特性，並可支援 +175 C 的最高工作結溫。

器件規格表

Vishay 五款全新的

1200 V MOSFET 功率模組

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VS-SF50LA120


VS-SF50SA120


VS-SF100SA120


VS-SF150SA120


VS-SF200SA120

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