英飛凌全新 OptiMOS™ 7 應用導向型功率 MOSFET 震撼登場

來源 英飛凌官微

英飛凌 全新 OptiMOS™ 7 系列帶來的新一代能效與性能標杆。 用“應用導向”思維把功率 MOSFET 推向下一代能效巔峯，該產品針對特定應用需求量身訂製，爲功率 MOSFET 技術樹立全新標準。

OptiMOS™ 7 7 開關優化型功率 MOSFET —— 爲雲端算力注入冷靜基因

專爲未來數據中心、服務器與電信設備而生，革新電源管理。

• 針對硬開關與軟開關拓撲專項優化

• Source Down 封裝顯著強化散熱能力

• 品質因數 FOM 提升高達 25%

OptiMOS™ 7 電機驅動優化型功率 MOSFET —— 讓每一度電都轉化爲動能

驅動、電動工具、園藝設備高效功率轉換的終極方案。

• 安全工作區 SOA 提升高達3倍

• 跨導性能改善高達 – 70%

• 具備更高抗噪能力

OptiMOS™ 低導通損 耗 優化型功率 MOSFET —— 在慢速開關場景下的低阻優勢

面向 BMS、12V 開關電源等慢速開關應用，採用低阻設計。

• 導通損耗較 OptiMOS ™ 6 再降高達 40%

• 專爲導通性能優化

• 具備高脈衝電流能力

封裝全家桶，一次給齊

• SuperSO8

• SuperSO8 雙面散熱

• PQFN 3.3×3.3

• PQFN 3.3×3.3 源下調

• PQFN 3.3×3.3 SD 中心柵極

• PQFN 3.3×3.3 SD 中心柵極雙面散熱

• 電源下雙面散熱

• PQFN 2×2

英飛凌新品：OptiMOS™ 7 25V 開關優化功率 MOSFET

OptiMOS™ 7 25V MOSFET 跳脫出傳統通用型設計思路，產品針對高性能應用進行升級 ，性能針對特定應用需求進行客製化提升，適用人工智能，開關電源，數據通信，服務器等應用。該系列產品重點面向諸如中間總線轉換器（IBC）等應用，這類轉換器採用多種拓撲結構，用於 48V 電壓轉換以支持 AI 核心供電。此外，它還廣泛適用於電信設備和傳統服務器中的開關模式電源（SMPS）應用。該產品組合分爲兩大技術類別：分別採用 硬開關拓撲結構和軟開關拓撲結構 做設備優化。前者具有出色的米勒比、FOM 和 R _{DS（開啓） 10} ；後者具有超低的 R _{DS（開啓） 45} 和 FOM _Qg 。新一代產品根據優化類型不同，其 R _{DS（開啓）} 和 FOM 較 OptiMOS™ 5 25V 分別最多降低 20% 和提升 25%。

爲優化開關量身訂製的 OptiMOS™ 7 25 V，產品組合採用源極向下 PQFN 3.3x3.3 封裝，並提供 底部散熱 和 雙面散熱 兩種封裝版本，額定溫度可達 175°C。其中心柵極佈局設計可實現靈活、優化的 PCB 佈局。

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