英飛凌擴展其 CoolSiC™ 產品系列，推出專爲高功率與計算密集型應用而設計的 400V 和 440V MOSFET

來源: 英飛凌官微

英飛凌通過增加頂部散熱（TSC）的 TOLT 封裝及 TO-247-3 和 TO-247-4 封裝擴展其 CoolSiC™ 400V G2 MOSFET 產品組合。此外， 英飛凌 還推出了三款額定電壓爲 440V（連續）和 455V（瞬態）的 TOLL 封裝新產品。 新的 CoolSiC™ MOSFET 具有更優的熱性能、系統效率和功率密度。 其專爲滿足高功率與計算密集型應用需求而設計，涵蓋了 AI 服務器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D 類音頻放大器、電機驅動、固態斷路器等領域。這款新產品可爲這些關鍵系統提供所需的可靠性與性能。

CoolSiC™ 400V G2 MOSFET 產品組合專爲滿足高功率與計算密集型應用需求而設計，適用於包括AI服務器電源在內的多種場景

與傳統的 250V 和 300V 電壓等級的硅（Si）技術相比，CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET 在 120°C 工作溫度下的導通損耗可降低多達 50%，這歸功於其導通電阻 R_{（DS（開啓）} 隨結溫（Tj）變化的平穩表現。此外，其開關性能指標顯著提升，反向恢復電荷相比傳統技術減少了至少五倍。在系統層面，CoolSiC™ G2 400V 和 440V MOSFET 在用於三電平飛跨電容 CCM 圖騰柱 PFC，相較於交錯式兩電平 CCM 圖騰柱 PFC 電路，峯值電源效率提升最高可達 0.4%，相當於峯值效率下系統損耗減少約 15%

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