CIPOS™ Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2 系列

來源: 英飛凌工業半導體

高性能 CIPOS™ Maxi 轉模封裝 SiC IPM IM12SxxEA2 系列基於 1200V CooSiC™ MOSFET 技術。產品組合包括 60mΩ 和 90mΩ，提供兩種新產品：IM12S60EA2 和 IM12S90EA2。

該系列集成了 6 個 CooSiC™ MOSFET 和一個優化的 1200V 6 通道 SOI 柵極驅動器，以提高可靠性，提供出色的保護機制，並優化 PCB 尺寸和系統成本。

產品型號：

■ IM12S60EA2

■ IM12S90EA2

產品特點

帶 DCB 的全隔離雙列直插式模塑模塊

1200V CoolSiC™MOSFET 技術

堅固耐用的 1200V SOI 柵極驅動器 技術

隔離柵極驅動板

集成自舉功能

過流關斷

所有通道欠壓鎖定

保護期間關閉所有六個開關

防止交叉傳導

在 V BS =15V 工作條件下，信號傳輸允許的負向 VS 電位最高可達 -11V

低側發射極引腳可獨立接入

應用價值

1200V IPM 級封裝尺寸最小，功率密度高，性能卓越

柵極驅動器技術具有更強的魯棒性，可提供出色的保護

效率高

高達 40kHz 的快速開關速度

適應快速開關應用，功率損耗更低

簡化設計和製造

競爭優勢

1200V 電壓等級中最小型化封裝

應用領域

風機

水泵

暖通空調室外風機

低功率電機驅動器

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