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[Infineon] 英飛凌主驅逆變器助力電動汽車跑得快跑得遠
2024-04-01

來源:英飛凌汽車電子生態圈

電動汽車越來越受歡迎。如今電動汽車的發展趨勢是,電機功率越來越大,但為了保證續航里程,行駛中的電耗也要越來越低。這看似不可能完成的任務,背後的最大功臣正是主驅逆變器。

市面上眾多熱門車型採用了英飛凌的主驅逆變器方案,那麼英飛凌逆變器方案有哪些優點,它又是怎麼讓電動汽車性能提高的同時還保證續航里程?

01. 英飛凌主驅方案核心優點

英飛凌做為全球領先的汽車半導體供應商為新能源汽車電控系統提供完解決方案。

電控方案可分解為兩部分:

1. 功率逆變執行部分

該部分也被稱為 power stack, 功率磚,包含了功率模組,域驅晶片,電流感測器。功率模組實現電力變換,為新能源汽車開發的 EDT 系列 IGBT 晶片提高了逆變器轉換效率,確保汽車安全行駛。Zero defect (0 失效)一直是我們追求的目標。HybridPACK™ Drive 功率模組自 2017 年量產以來已經為超5百萬電動汽車提供驅動電力。搭配高可靠的驅動晶片及高精度的電流感測器保證系統性能及可靠性。

2. 控制與功能安全部分

該部分包含了 MCU/PMIC/Driver 等器件。

在控制部分,AURIX™ 系列 MCU 與 TLF35584 系列 PMIC 搭配 EiceDrive™ 實現系統級 ASIL-D 級功能安全,保證汽車行駛指令準備無誤的傳遞給各個系統。AURIX™ 已經累積出貨超 5 億片。

02. 英飛凌解決方案如何助力電動車

具有強大的性能,同時又有超長續航?

電動汽車的很重要的兩個核心參數就是續航里程和加速度。這兩個參數都和功率模組有非常強的關聯性。

同樣的電池電量在不同的車上會有不同的續航表現,功率模組的損耗決定了系統的轉換效率,英飛凌的車規級功率模組致力於調節性能與可靠性之間的平衡關係,包括:

1 英飛凌優化了 EDT2 代 IGBT 晶片的設計與生產工藝,使得損耗遠低於其他同類產品

2 未來還有 EDT3 代 IGBT 晶片推出

3 第三代半導體的重要成員 SiC 也是英飛凌產品開發的重要方向,英飛凌堅持溝槽結構的 SiC 晶片研究,目前推出第二代溝槽工藝的晶片,用於 HybridPACK™ Drive 第二代功率模組。英飛凌 SiC 門極耐受電壓高,門極開啟電壓一致性,易於使用,降低電控系統及售後成本。

加速度的快慢就需要看功率模組的電流輸出能力了,模組可提供的峰值電流越大,加速度越快。基於英飛凌 Si 和 SiC 晶片開發的功率模組可以提供高壓 1000A 的峰值電流,使用戶用十分之一甚至更低的價格享受超跑的駕使體驗。

03. 英飛凌主驅逆變器一站式解決方案

除了功率逆變執行和控制與功能安全兩部分產品組合外,英飛凌可提供電控系統的完整解決方案。

英飛凌最新的無磁芯電流傳器可以解決磁飽和問題,降低電流檢測成本。搭配 HybridPACK™ Drive G2 模組還可以進一步節省空間提升功率密度。PMIC TLF35585 晶片為 MCU 穩定運行提供電源保證。EiceDRIVER™ 使得功率模組的控制變得更安全可靠。

除此之外,英飛凌眾多周邊晶片也可用於電控系統,歡迎各位點擊“閱讀原文”,到英飛凌官網查看整體解決方案。

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