新品 | 12 個 CoolSiC™ MOSFET 新型號 - 1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B 和 Easy2B 模組

來源：英飛凌工業半導體

12 個 CoolSiC™ MOSFET 新型號 —— 1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B

和Easy2B模組

又有一批 12 個不同型號的 EasyPACK™ 和 EasyDUAL™ 1B 和 2B CoolSiC™ MOSFET 模組上市，他們採用 CoolSiC™ MOSFET 增強型 1 代，適用於電動汽車充電、UPS 和光伏、儲能。

這些模組採用 PressFIT 壓接技術並帶 NTC 溫度檢測，有 Al2O3/AlN DCB 兩種版本，型號中帶 P 的是預塗 TIM 材料。

產品型號：

• F4-8MR12W2M1H_B70
  8 毫歐 H 橋 AlN DCB
• F4-8MR12W2M1HP_B76
  8 毫歐 H 橋 TIM
• F4-11MR12W2M1H_B70
  11 毫歐 H 橋 AlN DCB
• F4-11MR12W2M1HP_B76
  11 毫歐 H 橋 TIM
• F4-33MR12W1M1H_B76
  33 毫歐 H 橋
• F4-17MR12W1M1H_B76
  17 毫歐 H 橋
• F4-17MR12W1M1HP_B76
  17 毫歐 H 橋 TIM
• F3L11MR12W2M1HP_B19
  11 毫歐 T - 三電平 TIM
• FF11MR12W2M1H_B70
  11 毫歐 半橋 AIN DCB
• FF11MR12W2M1HP_B11
  11 毫歐 半橋 TIM
• FS13MR12W2M1H_C55
  13 毫歐 三相橋 AIN DCB
• FS13MR12W2M1HP_B11
  13 毫歐 三相橋 TIM

產品特點

• 1200V CoolSiC™ MOSFET
• Easy1B，Easy2B 封裝
• 非常低的模組寄生電感
• RBSOA 反向工作安全區寬
• 柵極驅動電壓視窗大
• PressFIT 引腳

應用價值

• 擴展了柵源電壓最大值：+23V 到 -10V
• 在超載條件下，Tvjop 最高可達 175°C
• 最佳的性價比，可降低系統成本
• 可工作在高開關頻率，並改善對冷卻要求

競爭優勢

完整的半橋 SiC 模組產品組合，包括標準 Al2O3 DCB 和低熱阻高性能 AIN DCB

應用領域

• 電動汽車充電
• 儲能系統
• 光伏
• UPS

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