來源: 英飛凌工業半導體

英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX/OTCQX 代碼：IFNNY）近日宣佈其 CoolSiC™ 1200V 和 2000V MOSFET 模組系列新添全新工業標準封裝產品。其採用新推出的增強型 M1H 碳化矽（SiC）MOSFET 晶片，採用成熟的 62mm 封裝的半橋模組。該封裝使 SiC MOSFET 能夠應用於 250kW 以上的中等功率等級應用，而傳統 IGBT 矽技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統的 62mm IGBT 模組，其應用範圍現已擴展至太陽能、伺服器、儲能、電動汽車充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率變換系統等。

英飛凌推出採用 62mm 封裝的 CoolSiC™ MOSFET 產品組合

增強型 M1H 晶片技術顯著拓寬了柵極電壓視窗，即使在高開關頻率下，不需任何限制，也能確保柵極應對驅動器和佈局引起的感應電壓尖峰時的高可靠性。此外，極低的開關損耗和導通損耗可以最大限度地降低散熱需求。2000V 的電壓等級，滿足現代系統設計中的高耐壓要求。借助英飛凌 CoolSiC™ 晶片技術，變換器的設計可以變得更有效率，單個逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統成本。

62mm 採用銅基板設計和螺母功率端子，該封裝是高魯棒性的結構設計，可提高系統可用性、降低服務成本和減少停機損失。通過強大的溫度周次能力和 150°C 的連續運行結溫（Tvjop）實現出色的可靠性。其對稱的內部封裝設計使得橋臂中上下管具有相同的開關條件。可以選裝預塗熱介面材料（TIM），進一步提高模組的熱性能。

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