來源：英飛凌工業半導體

新品 採用 1200V SiC M1H 晶片的 62mm 半橋模組，最大規格 1mΩ

1200V 的 62mm CoolSiC™ MOSFET 半橋模組現已上市。由於採用了 M1H 晶片技術，模組在 VGS(th)、RDS(on) 漂移和柵極驅動電壓視窗方面性能得到了改善。這些模組還提供預塗導熱介面材料（TIM）版本。

相關產品：

• 1，2，6mΩ，1200V 62mm 半橋模組

產品特點

• 集成體二極體，優化了熱阻
• 最高的防潮性能
• 卓越的柵極氧化層可靠性
• 抗宇宙射線能力強
• 符合 RoHS 標準要求

應用價值

• 按照應用苛刻條件優化
• 更低的電壓過沖
• 導通損耗最小
• 高速開關，損耗極低
• 對稱模組設計實現對稱的上下橋臂開關行為
• 標準模組封裝技術確保可靠性
• 62 毫米高產量生產線上生產

競爭優勢

• 通過碳化矽擴展成熟的 62 毫米封裝的產品，以滿足快速開關要求和低損耗的應用。
• 電流密度最高，防潮性能強

應用領域

• 儲能系統
• 電動汽車充電
• 光伏逆變器
• UPS

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