來源：英飛凌官方微信

汽車事件資料記錄系統（EDR）市場的不斷發展正在推動專用資料記錄存放裝置的需求，這些設備能夠即時捕獲關鍵資料並可靠地存儲資料長達數十年。近日，英飛凌科技進一步擴展其 EXCELON™ F-RAM 記憶體產品，推出兩款分別具有 1Mbit 和 4Mbit 存儲密度的新型 F-RAM 記憶體。全新 1Mbit EXCELON™ F-RAM 是業內首款車規級串列 F-RAM 記憶體。

這兩款新品已通過 AEC-Q100 1 級認證，支援更寬泛的溫度範圍（-40°C 至 +125°C ），補充了存儲密度從 4Kbit 到 16Mbit 不等的車規級 F-RAM 記憶體產品組合。它們均具有快速且高度可靠的讀/寫性能，在 SPI 模式和 Quad SPI（QSPI）模式下的讀寫性能分別高達 50 MHz 和 108 MHz。此外，這些存儲器具有 10 萬億次讀寫週期，能夠支持以 10 微秒間隔進行資料記錄長達 20 年。

英飛凌科技 RAM 解決方案副總裁 Ramesh Chettuvetty 表示：“隨著電子系統的廣泛應用，以及行業法規鼓勵在安全氣囊系統及發動機控制和電池管理系統中使用高可靠非易失性記憶體，汽車系統中的資料記錄需求正在迅速增長。需要記錄資料的應用數量不斷增加，根據特定用例定制存儲密度的需求也隨之增長。英飛凌致力於説明客戶靈活滿足各類系統設計對記憶體架構的要求。”

EXCELON™ F-RAM 記憶體具有零延遲寫入功能，可以持續捕獲並記錄資料，直到事故或其他用戶定義的觸發事件發生前的最後一瞬間。這兩款新品採用串列（SPI/QSPI）介面，具備 F-RAM 記憶體的超低功耗特性，工作電壓範圍為 1.8 V 至 3.6 V，並採用標準的 8 引腳 SOIC 封裝。半導體科技公司英飛凌的 F-RAM 記憶體除了具有出色的耐用性外，還可在斷電後保存資料超過 100 年。

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