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用於高速開關應用的 1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

增強型 1 代 1200V CoolSiC™ MOSFET 的 EasyDUAL™ 1B 半橋模組，採用 PressFIT 壓接式安裝技術和溫度檢測 NTC，並有使用預塗的熱介面材料（TIM）版本。

產品型號：

FF17MR12W1M1H_B11

17mΩ 1200V

FF17MR12W1M1H_B70

17mΩ 1200V 低熱阻

FF17MR12W1M1HP_B11

17mΩ 1200V TIM 版本

FF33MR12W1M1H_B11

33mΩ 1200V

FF33MR12W1M1HP_B11

33mΩ 1200V TIM 版本

產品特點

1200V CoolSiC™ MOSFET

Easy1B 封裝

Best-in-class 12 毫米高度模組封裝

非常低的模組寄生電感

RBSOA 反向工作安全區寬

柵極驅動電壓視窗大

PressFIT 引腳

兩個阻值型號都有帶有熱介面材料版本

應用價值

擴展了柵源電壓最大值：+23V 和 -10V

在超載條件下，Tvjop 最高可達 175°C

最佳的性價比，可降低系統成本

可工作在高開關頻率，並改善對冷卻要求

競爭優勢

引入新的 M1H 增強型 1 代晶片系列模組，Best-in-class 1200V Easy1B 模組

採用英飛凌 WBG 材料，達到功率和效率的新水準

緊跟市場的新趨勢，支援多種目標應用

應用領域

電機控制和驅動

不斷電供應系統（UPS）

電動汽車充電

光伏系統的解決方案

儲能系統