碳化矽閾值電壓漂移的問題怎麼解決的

答：閾值漂移，本質上是柵極氧化層中的缺陷，捕獲了不該屬於它的電子，氧化層中電子日積月累，就會造成閾值降低。所以要規避這種現象，晶片設計中要改善氧化層的品質。M1H 就是改善了氧化層的品質，實現了方形門極電壓操作曲線，也就是說不管什麼開關頻率，都可以使用負壓下限 -10V 了。

我看到 1700V 的 SiC 管子做到 12V 驅動電壓了，是能完什麼做到這麼低還保證閾值 電壓的呢

答：目前英飛凌1700V SiC MOSFET主要面向應用是輔助電源，12V驅動電壓主要是為了和大部分反激式控制器相容。也可以採用15V的驅動電壓主，如果用15V驅動，導通損耗會更低。

英飛凌的 SiC MOS 不需要負壓吧

答：如果單純的從抑制寄生導通的角度看，對於一個設計良好的電路，英飛凌SiC MOSFET是不需要用負壓關斷的。但是負壓對關斷損耗有影響，具體可參見如下文章：

如何選取 SiC MOSFET 的 Vgs 門極電壓及其影響

Cox 是什麼電容，和 cgs, cgd 有啥關係

答：下圖是 IGBT 內部的寄生電容示意圖，MOSFET 同理。可以看到 Cox 是多晶矽柵極對襯底的電容，以柵極氧化層為介質，包括下圖中的 C2,C3,C4。其中，C3,C4 是輸入電容 Cge 的一部分，C2 是 Cgc 的一部分。溝道電阻的公式中出現的 Cox 特指 C3。

電荷集中在溝槽附近，特別是彎曲率高的地方，INFINEON 做了什麼補救措施？

答：英飛凌採用非對稱溝槽柵結構，溝槽的一側設有深 P 阱，P 阱包圍溝槽倒角，可以大大舒緩電場在溝槽倒角處的聚集。

更多關於非對稱溝槽柵結構的資訊，請參考下面文章。

SiC MOSFET 真的有必要使用溝槽柵嗎？

SiC MOS TDDB 失效的優化方案有專題嗎

答：可參考如下文章

工業級 SiC MOSFET 柵級氧化層可靠性

動態 HTGB 和穩態 HTGB 對比，哪一個更嚴格

答：如果動態 HTGB 是指 GSS-Gate switching stress，那麼 GSS 與 HTGB 考查的是不同維度的內容，GSS 考查的是 SiC MOSFET 在多次開關週期後閾值的漂移程度，而 HTGB 考查的是長期的柵極偏壓應力下柵氧化層的退化程度。兩者對於評估 SIC MOS 的可靠性來說都是不可或缺的，不存在哪一個更嚴格。

能不能出一期關於可靠性壽命的主題

答：英飛凌於 2020 年就推出了關於碳化矽器件可靠性白皮書 How Infineon controls and assures the reliability of SiC based power semiconductors，中文版閱讀請點擊：英飛凌如何控制和保證基於 SiC 的功率半導體器件的可靠性

最後，大家不要忘記報名哦~

碳化矽直播季第二期6月20日，我們不見不散！

碳化矽直播季主持人：

英飛凌科技大中華區零碳工業功率事業部 應用工程師 孫輝波

時間：6 月 20 日下午 14:00

話題：好馬要有好鞍配， -- 詳解 SiC 驅動和並聯的關鍵技術

直播嘉賓：

英飛凌科技大中華區零碳工業功率事業部 高級應用工程師 鄭姿清

英飛凌科技大中華區零碳工業功率事業部 高級應用工程師 趙佳

在從 Si 到 SiC 的應用轉化中，因為 SiC 的高速開關特性、特殊的器件結構、較低的短路耐量，使得 SiC 系統的驅動及保護設計都面臨很大挑戰。 如何更好地設計 SiC MOSFET 驅動及保護電路， 在高性能功率轉換應用場合實現效率、功率密度和穩健性的最佳組合？

好馬要有好鞍配，讓我們一起詳解 SiC 短路保護和並聯的關鍵技術

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本期關鍵字： 碳化矽，短路保護，驅動， 並聯