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2023-06-06
荷蘭埃因霍溫，2023 年 6 月 6 日（全球新聞資訊）—— 恩智浦半導體 NXP Semiconductors N.V.（納斯達克代碼：NXPI）今天宣佈推出頂部冷卻式射頻放大器模組系列，其中採用的創新封裝技術有助於為 5G 基礎設施打造更輕薄的無線產品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經濟性，同時能夠更分散地融入環境。恩智浦的 GaN 多晶片模組系列與全新的射頻功率器件頂部冷卻解決方案相結合，不僅有助於將無線電產品的厚度和重量減少 20% 以上，而且還可以減少 5G 基站製造和部署的碳足跡。
“頂部冷卻技術為無線基礎設施行業帶來了重大機遇，借助該技術，我們可以將高功率功能與出色的熱性能相結合，打造出尺寸更小的射頻子系統。基於這一創新技術的解決方案，讓我們既可以部署更環保的基站，同時又能保證實現 5G 全部性能優勢所需的網路密度。”
恩智浦副總裁兼射頻功率業務部總經理 Pierre Piel
恩智浦新推出的頂部冷卻式器件具有顯著的設計和製造優勢，如無需專用射頻遮罩、可以使用高性價比的精簡印刷電路板，以及分離熱管理與射頻設計。這些特性有助於網路解決方案提供商為移動網路運營商打造更輕薄的 5G 無線產品，同時縮短產品的整體設計週期。
恩智浦首個頂部冷卻式射頻功率模組系列專為 32T32R、200W 射頻而設計，覆蓋 3.3GHz 至 3.8GHz 的頻率範圍。這款器件結合使用了恩智浦專有的 LDMOS 和 GaN 半導體技術，兼具高增益、高效率和寬頻性能，能夠在 400MHz 暫態頻寬下提供 31 dB 的增益和 46% 的效率。
A5M34TG140-TC、A5M35TG140-TC 和 A5M36TG140-TC 日前已上市。恩智浦 RapidRF 參考板系列將為 A5M36TG140-TC 提供支援。詳情請訪問 NXP.com/TSCEVBFS 或聯繫全球恩智浦銷售代表。
關於恩智浦半導體
恩智浦半導體 NXP Semiconductors N.V. （Nasdaq: NXPI）彙集英才，共同創造突破性技術，為更智慧安全的互聯世界保駕護航。作為全球領先的嵌入式應用安全連接解決方案提供商，恩智浦不斷尋求汽車、工業物聯網、移動設備和通信基礎設施市場的突破，同時不斷推出解決方案，助力實現可持續發展的未來。恩智浦擁有超過 60 年的專業技術及經驗，在全球 30 多個國家設有業務機構，員工達 34,500 人，2022 年全年營業收入 132.1 億美元。更多資訊，請訪問恩智浦官網。
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圖片：恩智浦推出全新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術， 進一步縮小 5G 無線產品尺寸下載圖片（682KB）