英飛凌推出以 AI 資料中心電源設計的 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 驅動晶片，適用於矽基與氮化鎵裝置設計，封裝相容

來源:英飛凌官網

【2026 年 6 月 10 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。這是一款 120 V，相容於矽（Si）和氮化鎵（GaN）裝置的驅動晶片。隨著 AI 資料中心朝向更高的功率密度邁進，電源工程師會希望在不更改 PCB 的情況下，能夠靈活地評估和比較矽與氮化鎵方案。這對 HV/MV IBC 設計尤其重要。 2EDL90xG3 直接滿足了這項需求。其獨特的內建 5 V 閘極箝位功能進一步簡化了 GaN 閘極驅動電源的設計，從而實現與 Si 裝置共 PCB。

2EDL90xG3 提供了五種可設定的工作模式，能夠支援多種電源拓撲。其雙浮地輸出架構與 5 V 閘極箝位結合，可實現同時適用於基於矽和氮化鎵設計的混合開關電容（HSC）拓撲。此元件擁有 4 A 拉電流（source）和 6 A 灌電流（sink）的高驅動強度，為驅動 HV-IB 的次級側提供了極高的靈活性。此外，內部整合的電流採樣放大器具有典型的 5 MHz 高頻寬以及高達 35 V 的高共模電壓抗干擾能力，有效減少了系統物料清單（BoM）並提升了功率密度。此電流取樣放大器在滿量程下可提供典型值 1% 的高精度，支援精確的控制迴路調節以及快速的過電流和短路保護。內部整合的自舉二極體則進一步縮減了半橋和全橋應用中的電路板空間及系統 BoM。 2EDL90xG3 採用緊湊的 QFN 3*3 16 腳封裝。

此驅動晶片針對英飛凌廣泛的 AI 伺服器供電產品組合進行了最佳化。英飛凌的產品涵蓋了從電網到核心（From Grid to Core）的完整供電鏈，包括固態變壓器（SST）和固態斷路器（SSCB）、電源（PSU）和電池備援單元（BBU）、中間匯流排變換器（IBC）以及第二級直流轉換電源模組（VRM）。透過將矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）的互補優勢結合，英飛凌為客戶提供了一條清晰且經市場驗證的端到端電源架構設計路徑。該產品組合還擁有持續的設計資源支持，以及專門為下一代 AI 伺服器平台量身定制的可擴展、高品質的元件。

供貨情況

2EDL900G3 和 2EDL901G3 的樣品現已開始提供。更多詳情，請瀏覽：www.infineon.com/part/2EDL900G3 和 www.infineon.com/part/2EDL901G3。

關於英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數位化進程。該公司在全球擁有約 57,000 名員工（截至 2025 年 9 月底），在 2025 財年（截至 9 月 30 日）的營收約為 147 億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代號：IFX），在美國的 OTCQX 國際場外交易市場上市（股票代號：IFNNY）。

新聞圖片

英飛凌 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 是一款相容於矽和氮化鎵裝置的驅動晶片

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