英飛凌推出業界首款以 CoolSiC™ G2 技術為基礎的雙向開關碳化矽

來源:英飛凌官網

【2026 年 6 月 2 日, 德國慕尼黑訊】全球電力系統與物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出基於成熟可靠 750V CoolSiC™ G2 技術平台打造的碳化矽（SiC）雙向開關（BDS）。本產品採用垂直整合雙晶片共漏極設計，採用頂部散熱 Q-DPAK 封裝，將兩個功率開關整合到同一裝置中，既簡化了系統設計，也實現了傳統拓撲革新。 750V CoolSiC™ BDS 可提供現代電網和能源系統所需的可靠性裕量，能夠在應用的這個生命週期內實現極低的總體擁有成本。

750V CoolSiC™ BDS 具備業界領先的 R_DS(on) × Qfr、優異的 R_DS(on) × QOSS，以及低 Qg 值，可有效降低開關損耗與導通損耗，實現超高速、高效的開關動作。在 25℃ 條件下，典型閘門閾值電壓 VGS(th) 為 4.5V，搭配超低 Q GD/Q GS 比值，可增強寄生導通抗擾性；擴展後的閘極偏壓容限可支援 -11V 至 25V 瞬態電壓，能夠提升設計裕量並增強相容性。本產品額定 dv/dt 可達 200V/ns，可在不影響耐用性的前提下支援高頻設計。此產品系列阻值覆蓋範圍為 14mΩ 至 66mΩ。

本產品專為高要求的電源系統而設計，提供 840 V (BR)DSS，為超過 500 V 的母線電壓時提供充足的裕量。此外，它還具有經驗證的雪崩耐受性、100 小時內高達 200°C 的過載耐受能力和 2 µs 的短路耐受時間。這些元件能夠有效保護系統，免受實際環境中電壓突波、能量脈衝、瞬態應力以及突波電流的影響，確保系統能夠長期穩定運行，並具備容錯能力。

750V CoolSiC™ BDS 擴展了英飛凌頂部散熱產品家族，可適配當下要求最嚴苛、發展迅速的應用場景，支持原生液冷設計，透過拓撲層面的設計迭代，實現了全新的能源效率水平。

在汽車應用中，該產品非常適用於車載充電器（OBC）、電動車充電以及 eFuse（電子保險絲）和預充電電路。與 CoolSiC™ H-DPAK 半軸裝置搭配使用，可協助設計平順過渡到基於 SiC 技術的單級車載充電器，讓設計不僅兼具高功率密度和高成本效益，而且節省空間。

在工業應用領域，它為快速迭代的各類應用場景帶來了革新：

• 配備原生液冷的 HVDC AI 電源
• 戶用太陽能與儲能係統
• 醫院及現場資料中心的 HVAC 系統
• 適用於電動垂直起降飛行器（eVTOL）的電流源逆變器（CSI）驅動
• 電力及 IT 機架中的 HVDC 保護
• 人形機器人集群快速充電

供貨情況

本產品已開始提供樣品。更多信息，請訪問：http://www.infineon.com/coolsic-750v-bds。

關於英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數位化進程。該公司在全球擁有約 57,000 名員工（截至 2025 年 9 月底），在 2025 財年（截至 9 月 30 日）的營收約為 147 億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代號：IFX），在美國的 OTCQX 國際場外交易市場上市（股票代號：IFNNY）。

新聞圖片

英飛凌推出業界首款以 CoolSiC™ G2 技術為基礎的雙向開關碳化矽

JPEG

2126x1263 px

下載