英飛凌推出業界首款電流密度超 2 A/mm² 的 TLVR 四相電源模組，協助提升新一代 AI 運算效能

來源:英飛凌官網

【2026 年 3 月 26 日，德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）發布搭載 TLVR（跨電感穩壓器）技術的高電流密度四相電源模組，以滿足先進 AI 數據中心對電力需求的不斷增長。 TDM24745T 是一款全新的 OptiMOS™ 四相電源模組，專為滿足下一代 AI 加速器快速成長的電力需求而設計。該模組將四個功率級、TLVR 電感和解耦電容整合到緊湊的 9 x 10 x 5 mm³ 封裝中，提供業界領先的電流密度，高達 2 A/mm² 以上。這項組合實現了卓越的瞬態性能，支援高級 GPU 和 AI 處理器所需的高電流核心供電，並適用於橫向和垂直的電力傳輸配置。

英飛凌科技電源 IC 與連接系統高級副總裁兼總經理 Athar Zaidi 表示：「隨著 AI 的工作負荷以前所未有的速度增長，對高效且超緊湊的供電需求比以往任何時候都更加迫切。借助 TDM24745T，我們重新定義了高電流穩壓的可能性。透過將業界領先的電流密度與先進的 TLVR 數據整合到先進的 TLVR，隨著 AI 資料中心的電力需求不斷提升，電力架構也必須變得更加緊湊、靈敏和高效。 TDM24745T 透過簡化電力架構設計和提升功率密度，騰出了額外的 PCB 空間來容納更多運算資源，並同時提供極快的瞬態響應。 TLVR 架構還能將所需的輸出電容降低多達 50%，幫助系統設計人員實現更有效率、節省空間的佈局，從而直接為能源節約和降低 AI 伺服器平台的整體擁有成本（TCO）做出貢獻。

作為業界首款採用此類緊湊封裝的 TLVR 四相模組，TDM24745T 提供高達 320 A 的峰值電流能力，特別適用於新一代 AI 處理器和高電流多處理器平台。結合英飛凌的數位多相控制器，該模組支援靈活、可擴展的架構，加速在快速演進的 AI 環境中完成系統部署。憑藉 OptiMOS™-6 MOSFET 技術、晶片嵌入式整合技術與專有的磁性元件技術，此模組即使在最緊湊的 AI 伺服器設計中仍能提供更佳的效率與熱性能，協助打造更節能的 AI 資料中心。

TDM24745T 電源模組已無縫整合於英飛凌端到端 AI 伺服器供電生態系統中，涵蓋從電網介面到核心處理器供電的所有環節。英飛凌以矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）技術的綜合優勢，提供全面、可擴展的解決方案，協助實現 AI 優化資料中心架構的出色效率、可靠性和功率密度。

供貨情況

欲了解更多關於 TDM24745T OptiMOS™ 四相電源模組的信息，請造訪：英飛凌官網。

關於英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數位化進程。該公司在全球擁有約 57,000 名員工（截至 2025 年 9 月底），在 2025 財年（截至 9 月 30 日）的營收約為 147 億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代號：IFX），在美國的 OTCQX 國際場外交易市場上市（股票代號：IFNNY）。

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作為業界首款採用此類小巧封裝的 TLVR 四相電源模組，英飛凌的 TDM24745T 產品提供高達 320 A 的峰值電流能力

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