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[Infineon] 英飛凌推出多款創新電源解決方案,全面賦能 AI 數據中心提效增速
2026-05-07

英飛凌推出多款創新電源解決方案,全面賦能 AI 數據中心提效增速

來源:英飛凌官微

英飛凌針對 800 VDC 架構 AI 數據中心推出基於 CoolGaN™ 的高壓 IBC 參考設計

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出兩款全新高壓中間總線轉換器(HV IBC)參考設計,幫助客戶加速向 ±400 V 和 800 V 直流(VDC)供電的 AI 服務器電源架構轉型。 這些參考設計採用英飛凌的 650 V CoolGaN™ 開關,專爲追求更高機架功率、更低配電損耗、更優散熱性能的超大規模雲服務提供商、電源架構提供商與服務器 OEM 廠商所設計。

英飛凌高壓中間總線轉換器(HV IBC)參考設計可幫助客戶加速向 ±400 V 和 800 V 直流(VDC)供電的 AI 服務器電源架構轉型

新款參考設計針對兩種不同的架構進行開發:800 VDC 至 50 V 的設計作爲下游 48 V IBC 模塊的中間級,而 800 VDC 至 12 V 的設計則爲緊湊型服務器主板提供直接的電壓轉換。 針對客製化應用,英飛凌還提供數字控制器 XDPP1188-200C,支持靈活的輸出電壓,包括 48V、24V 和 12V。

英飛凌持續走在 AI 供電領域的前沿。我們的 HV IBC 參考設計憑藉高品質的功率半導體與系統級設計專業知識,幫助客戶加速邁向高壓直流數據中心架構。通過展示完整、高效的實現方案,我們幫助客戶降低開發風險、提升功率密度,並實現大規模的能源效率提升。

克里斯蒂安·伯勒

英飛凌科技電源系統事業部副總裁

此次推出的 800 VDC 或 ±400 V 至 50 V HV IBC 參考設計專爲下一代 AI 數據中心開發,滿載效率超過 98%。該設計採用英飛凌優化的高壓和中壓 CoolGaN™ 開關、EiceDRIVER™ 柵極驅動器以及 PSOC™ 微控制器,包含兩個 3 kW 400 V 至 50 V 轉換模塊,採用輸入串聯-輸出並聯(ISOP)配置。該架構可擴展至 6 kW 持續功率設計(TDP),並支持在 400 µs 內達到 10.8 kW。利用 PCB 集成平面變壓器,多級同步整流器,以及全載條件下的軟切換來降低電磁干擾(EMI)。該緊湊型設計方案尺寸僅爲 60x 60x11 mm,實現了 2.5 kW/in³ 優異的功率密度。

二款參考設計是一個超薄 HV IBC 演示板,將 800 VDC 總線電壓直接轉換成 12 V 中間總線電壓。該設計提供 6 kW TDP,且支持在 400 µs 內達到 10.8 kW 的峯值功率。作爲 ISOP 半橋 LLC 轉換器,它採用創新的矩陣變壓器設計,佔板面積爲 130 mm×40 mm,厚度僅爲 8 mm。其功率密度達到 2.3 kW/in³ 以上,並支持創新的服務器主板散熱方案,峯值效率可達 98.2%,而滿載效率可達 97.1%。爲滿足這些嚴苛的規格要求,該設計採用了英飛凌高效的 650 V CoolGaN™ 和 40 V OptiMOS™ 7 開關,搭配 EiceDRIVER™ 柵極驅動器和 PSOC™ 微控制器。

英飛凌推出業界首款電流密度超 2 A/mm² 的 TLVR 四相電源模組,助力提升下一代 AI 計算性能

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司發佈搭載 TLVR(跨電感穩壓器)技術的高電流密度四相電源模組,以滿足先進 AI 數據中心對電力需求的不斷增長。 TDM24745T 是一款全新的 OptiMOS™ 四相電源模組,專爲滿足下一代 AI 加速器快速增長的電力需求而設計。該模組將四個功率級、TLVR 電感和解耦電容集成到緊湊的 9x10x5mm³ 封裝中,提供業界領先的電流密度,高達 2 A/mm² 以上。這項組合實現了卓越的瞬態性能,支持高級 GPU 和 AI 處理器所需的高電流核心供電,並適用於橫向和垂直的電力傳輸配置。

作爲業界首款採用此類緊湊封裝的 TLVR 四相電源模組,英飛凌的 TDM24745T 產品提供高達 320 A 的峯值電流能力

隨着 AI 的工作負荷以前所未有的速度增長,對高效且超緊湊的供電需求比以往任何時候都更加迫切。借助 TDM24745T,我們重新定義了高電流穩壓的可能性。通過將業界領先的電流密度與先進的 TLVR 技術集成到極小型的封裝中,我們幫助客戶更好地發揮計算性能、降低能耗,並加速下一代 AI 數據中心的部署。

阿塔爾·扎伊迪 / 英飛凌科技 電源 IC 與連接系統

高級副總裁兼總經理

隨着 AI 數據中心的電力需求不斷提升,電力架構也必須變得更加緊湊、靈敏和高效。TDM24745T 通過簡化電力架構設計和提升功率密度,騰出了額外的 PCB 空間來容納更多計算資源,並同時提供極快的瞬態響應。TLVR 架構還能將所需的輸出電容降低多達 50%,幫助系統設計人員實現更高效、節省空間的佈局,從而直接爲能源節約和降低 AI 服務器平臺的總體擁有成本(TCO)做出貢獻。

作爲業界首款採用此類緊湊封裝的 TLVR 四相模組,TDM24745T 提供高達 320 A 的峯值電流能力,特別適用於下一代 AI 處理器和高電流多處理器平臺。結合英飛凌的數字多相控制器,該模組支持靈活、可擴展的架構,加速在快速演進的 AI 環境中完成系統部署。憑藉 OptiMOS™-6 MOSFET 技術、芯片嵌入式集成技術和專有的磁性元件技術,該模組即使在最緊湊的 AI 服務器設計中仍能提供更佳的效率與熱性能,助力打造更節能的 AI 數據中心。

TDM24745T 電源模組已無縫集成於英飛凌端到端 AI 服務器供電生態系統中,涵蓋從電網接口到核心處理器供電的所有環節。英飛凌以硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術的綜合優勢,提供全面、可擴展的解決方案,助力實現 AI 優化數據中心架構的出色效率、可靠性和功率密度。

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司針對 AI 數據中心的 DC-DC 轉換電壓調節(VR)解決方案產品組合,新增兩大產品系列,涵蓋數字電壓控制器與具有遙測功能的負載點(PoL)電壓調節器產品系列。 全新的數字多相 PWM 降壓控制器 XDPE1E 與支持 PMBus 標準的負載點(PoL)TDA49720/12/06 可幫助客戶在縮短設計週期、加速平臺落地的同時,提升每個機架的計算性能。

英飛凌推出面向多處理器 AI 平臺和先進 VR 電感拓撲的 3 環路和 4 環路數字多相 PWM 降壓控制器

新一代 AI 平臺正在將電源架構推向新的極限:核心電源需要極高的電流密度和瞬態響應速度,而日益增加的非核心電源則需要緊湊、高效的調節方案以及精準的監測與控制。英飛凌以可擴展的產品組合應對這項端到端的挑戰,旨在簡化 VR 設計、提高電路板空間利用率,並幫助客戶在處理器路線圖快速發展的情況下,進行快速、可重複的部署。

針對可擴展 AI 平臺靈活的數字多相控制

XDPE1E3G6AXDPE1E496A 是英飛凌專爲多元處理器 AI 平臺和先進VR電感拓撲所推出的 3 環路和 4 環路數字多相 PWM 降壓控制器。 這兩款控制器使客戶能夠通過單一、靈活的電源設計實現算力擴展,從而減少處理器因更新換代所需的重新設計工作,並加速產品上市。產品提供高度可配置的相位分配和完全可編程的相位觸發順序,並支持多種協議,包括 PMBus、AVSBus、SVID 和 SVI3,因此廣泛兼容主流處理器生態系統。其主動瞬態響應、快速 DVID、自動相位切換與 PFM 模式等數字功能,有助於應對動態 AI 負載,而數字示波器、黑匣子記錄及完善的保護機制等內置工具,可縮短測試時間並提高系統可靠性。

支持 PMBus 標準的集成式 PoL:快速、可監測的非核心電源

爲滿足 AI 系統中日益增加的非核心電源需求,英飛凌新推出了具有支持 PMBus 標準的數字遙測功能的 TDA49720/12/06 系列全集成式 PoL DC-DC 降壓調節器。 該系列提供 6A、12A 和 20A 三種規格及3 mm×3 mm和3 mm×3.5 mm 兩種封裝,有助於大幅提升功率密度,並簡化加速卡和服務器主板上的佈局。PMBus遙測功能可精確報告輸出電壓、負載電流、輸入電壓和芯片內部溫度等關鍵參數,在減少反覆修改設計次數的同時支持系統優化和可靠性監測。其專有的谷值電流模式恆導通時間控制方案,可實現快速瞬態響應、逐週期電流限制,並支持全 MLCC 輸出電容設計。該系列產品支持 2.7 V 至 16 V 的輸入電壓,且可在 -40 °C 至 150 °C 範圍內運行。

這些新推出的電壓調節解決方案專爲與英飛凌從電網到核心的各種 AI 服務器供電產品組合配合使用而優化設計,包括固態變壓器和固態斷路器、高壓和中間總線轉換以及第二級 DC 轉換電源模塊。英飛凌充分發揮硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的優勢,大幅提高產品效率、密度與可靠性,以經過驗證的高品質半導體器件、持續的設計支持以及可擴展的產品性能爲客戶提供通往下一代 AI 服務器平臺端到端電源架構的明確路徑。

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