英飛凌 CoolGaN™ 開啓高效電源新時代

來源 英飛凌官微

國際集成電路展覽會暨研討會（IIC Shenzhen）2025 全球電子成就獎近日揭曉， 英飛凌 CoolGaN™ 系列獲評“年度潛力第三代半導體技術” ；同期， EEVIA 2025 硬科技產業縱橫獎也將其列入“E馬當先新品榜”，連獲兩項行業認可 。

行業首創，集成創新

英飛凌 CoolGaN™ MV Transistor G5 區別於傳統 GaN 器件的最大亮點，在於其業內首創地在器件內部集成了肖特基二極管。 這一大膽創新，有效降低了器件在反向導通時的能量損耗，使其在硬開關（Hard Switching）應用中表現尤爲出色。此外，CoolGaN™ MV G5 採用緊湊型 3 x 5 mm PQFN 封裝，電壓等級高達 100 V，導通電阻低至 1.5 mΩ，極大地提高了開關速度和系統效率。

憑藉集成化設計，CoolGaN™ MV G5 不僅減少了對外部器件的依賴 ，優化了系統佈局，還顯著降低了設計複雜度與整體BOM成本，有效提升了系統的可靠性和終端產品的市場競爭力。無論是數據中心、工業自動化還是高效服務器電源，新一代 CoolGaN™ MV G5 都能帶來更低損耗、更高能效和更靈活的設計可能。

英飛凌 CoolGaN™ BDS 650 V 是英飛凌在全球率先推出的雙向功率開關（Bidirectional Switch）產品，將兩顆常關型 650 V GaN HEMT 以共源共柵結構反向單片集成於同一封裝，實現一顆器件即可控制雙向電流，徹底取代傳統“兩顆 MOSFET 背對背”方案。通過行業首創的 GaN-on-Si 單片雙向技術，器件在 ±650 V範圍內提供無體二極管、無反向恢復損耗的硬開關能力，RDS(on) 低至 50 mΩ，Qrr=0，柵極電荷減少 70%，系統效率提升 2%–3%。集成式驅動器與 ESD 保護單元進一步簡化柵極迴路設計，降低寄生參數，使圖騰柱 PFC、微型逆變器、電池主動均衡、固態斷路器等雙向拓撲首次在功率密度>100 W/in³、開關頻率 >500 kHz 的條件下實現 >99% 峯值效率。CoolGaN™ BDS 650 V 以單芯片創新，重新定義了雙向功率轉換的能效與可靠性標杆。

性能引領，賦能更多場景

英飛凌 CoolGaN™ MV Transistor G5 產品系列涵蓋多種規格，全面滿足工業、通信和消費級應用的嚴苛需求。 其中，100 V CoolGaN™ G5 適合高性能工業電源、服務器 DC-DC 轉換、智能馬達控制、逆變器、充電樁等應用，爲寬禁帶器件在高頻、高能效場景中的廣泛應用鋪平了道路。其優異的反向傳導損耗管理能力，實現了系統能效與集成度的同步提升，同時兼容多種主流控制器，爲方案設計者提供了空前的靈活性和便利性。

英飛凌 CoolGaN™ BDS 650V，該產品率先在單芯片上實現雙向電流控制能力 ，可直接替代傳統雙開關結構，大幅簡化雙向能量流應用的電路設計。無論是儲能系統、V2G 車網互動，還是工業 UPS，這一高度集成化創新，大大優化了器件數量、縮小了體積與系統成本，爲寬禁帶半導體加速滲透廣泛應用場景提供了堅實支撐。

屬於未來的力量

英飛凌始終堅持技術創新，致力於通過 CoolGaN™ 等領先產品推動第三代半導體技術的普及與升級。 未來，英飛凌將繼續以創新型寬禁帶電力電子器件引領行業躍遷，讓綠色能源與高能效解決方案惠及全球更多應用。

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