新品 | 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4 迴流焊封裝

來源: 英飛凌工業半導體

採用 TO-247PLUS-4 迴流焊封裝的 CoolSiC™ MOSFET G2 1400V 功率器件，是電動汽車充電、儲能系統、工業變頻器等大功率輸出應用的理想選擇。

第二代 1400V CoolSiC™ MOSFET 前沿技術具有前沿性，可顯著提升熱管理性能、功率密度及系統可靠性。其封裝支持迴流焊工藝（可承受三次迴流焊循環），有助於降低熱阻並承載高峯值電流。

產品型號：

■ IMYR140R008M2H

■ IMYR140R019M2H

產品特點

極低的開關損耗

封裝背面適用於 260°C 高溫迴流焊，且可承受三次焊接過程

最高結溫（T _vj ）達 200°C 的過載運行能力

短路耐受時間達 2 µs

基準柵極閾值電壓 V _{GS（第）爲 4.2V}

抗寄生導通能力強，可施加 0V 關斷柵極電壓

採用 .XT 擴散焊技術，實現業界領先的熱性能

寬電源引腳（2mm），提供高電流承載能力

可電阻焊管腳，允許母排直連

TO-247PLUS 封裝，具有 10.8mm 高爬電距離及 CTI≥600V

應用價值

提升功率密度

增大系統輸出功率

提高整體效率

增強對瞬態過載、雪崩條件及米勒效應的耐受性

簡化針對過流事件的系統設計

易於並聯

競爭優勢

支持 1000V 以上電壓等級的設計

迴流焊組裝工藝有助於實現更低熱阻

在最高工作電壓 1000V 的應用中：提供充足電壓裕度，支持高峯值電流下的更快開關速度

高功率密度有助於縮小系統整體尺寸

應用領域

商用、工程及農用車輛（CAV）

電動汽車充電設施

儲能系統（ESS）

在線式 UPS / 工業級不間斷電源

組串式逆變器

通用變頻驅動器（GPD）

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