芯聞速遞 | 英飛凌推出採用全新 EasyPACK™ C 封裝的碳化硅功率模塊，助力提升工業應用的能效與使用壽命

來源: 英飛凌官微

工業領域中的快速直流電動汽車（EV）充電、兆瓦級充電、儲能系統，以及不間斷電源設備，往往需要在嚴苛環境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應用對高能效、穩定的功率循環能力以及較長的使用壽命有着極高的要求。

爲滿足這些需求， 英飛凌 推出了 EasyPACK™ C 系列產品 —— EasyPACK™ 封裝家族的新一代產品。該全新封裝系列的首款產品爲碳化硅（SiC）功率模塊，集成了英飛凌 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 技術，並採用了公司專有的 .XT 互連技術。 通過降低靜態損耗並提高可靠性，這些模塊有助於滿足工業應用領域日益增長的能源需求，並助力實現可持續發展目標。

憑藉英飛凌的 CoolSiC™ MOSFET G2 技術，新產品較上一代 CoolSiC™ MOSFET 功率密度提升超過 30%，使用壽命延長高達 20 倍。 此外，該產品的導通電阻（R _{DS（開啓）}）顯著降低約 25%。不僅如此，全新的 EasyPACK™ C 封裝設計理念進一步提高了功率密度與佈局靈活性，爲未來更高電壓等級的產品設計奠定了基礎。而英飛凌的 .XT 互連技術進一步延長了器件的使用壽命。

英飛凌碳化硅 ™MOSFET Easy 2C .XT

該系列模塊可承受結溫（T _{vj（結束）}）高達 200°C 的過載開關工況。搭載全新 PressFIT 壓接引腳，其電流承載能力提升一倍，同時降低 PCB 板的溫度，並優化安裝流程。全新的塑封材質與硅凝膠設計，支持該模塊在最高 175°C 的結溫（T _vj（op））下依然穩定運行。此外，該系列模塊還具備一分鐘內耐受 3 千伏交流電的隔離等級。這些特性共同助力該模塊實現更卓越的系統能效、更長的使用壽命，以及更出色的耐高溫性能。

採用 EasyPACK™ C 封裝的全新模塊提供多種拓撲結構，包括 三電平 （3-level）和 H 橋（H-bridge）配置，且同時提供含/不含 熱界面材料 的兩種版本。

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