英飛凌推出採用 TO-247PLUS-4 迴流焊封裝的 CoolSiC™ MOSFET 1400V G2 系列

來源: 英飛凌工業半導體

【2025 年 10 月 17 日,德國慕尼黑訊】電動汽車充電、電池儲能系統，以及商用、工程和農用車輛（CAV）等大功率應用場景，正推動市場對更高系統級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預期。同時，這些需求也帶來了新的設計挑戰，例如，如何在嚴苛環境條件下實現可靠運行，在應對瞬態過載時如何保持穩定性，以及如何優化整體系統性能。爲應對這些挑戰，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 採用 TO-247PLUS-4 迴流焊封裝的 CoolSiC™ MOSFET 1400V G2 系列 。該器件支持更高的直流母線電壓，可實現更優異的熱性能、更小的系統尺寸，以及更高的可靠性。

採用 TO-247PLUS-4 迴流焊封裝的 CoolSiC™ MOSFET 1400V G2 系列

該封裝技術支持在 260°C 溫度下進行多達三次迴流焊操作，並可在結溫高達 200°C 的條件下實現可靠運行，同時確保出色的峯值電流能力。 借助 英飛凌 .XT 互聯技術，這些器件在嚴苛的應用環境下，依舊可實現更優的熱性能以及更強的機械可靠性。全新 1400V 電壓等級爲更快的開關速度提供了額外裕量，並簡化了過壓保護措施。這有助於降低對功率降額使用的需求，同時提升整個系統的可靠性。

採用 TO-247PLUS-4 迴流焊封裝的 CoolSiC™ MOSFET 1400V G2，其 導通電阻 （R _{DS（開啓）} ）等級涵蓋 6 至 29 毫歐（mΩ），適用於對高功率密度要求嚴苛的應用場景， 例如商用、工程和農用車輛（CAVs）、電動汽車充電以及電池儲能系統。英飛凌還提供採用高爬電距離 TO-247-4 封裝 的 CoolSiC™ MOSFET 1400V 系列。該產品組合的 R _{DS（開啓）} 等級範圍爲 11 至 38mΩ，其器件同樣適用於光伏等應用場景。

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