英飛凌推出 75mΩ 工業級 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET，適用具備高功率密度需求的中功率應用場景

來源: 英飛凌官微

英飛凌推出 75mΩ 工業級 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET，適用具備高功率密度需求的中功率應用場景

英飛凌近日宣布擴展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET 產品組合，新增 75 mΩ 規格型號，以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統的需求。

此系列裝置提供多種封裝選擇，包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3 及 TO247-4。得益於此，該產品組合可同時支援頂部冷卻（TSC）與底部冷卻（BSC）兩種散熱方案，為研發人員的設計提供了高度靈活性。

此類裝置非常適用於中高功率等級的開關模式電源（SMPS），可廣泛應用於多個領域，包括 AI 伺服器、再生能源系統、電動車及電動車充電樁、人形機器人充電、電視機以及各類驅動系統。

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2（TOLT 封裝版）

CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET 是基於第二代（G2）CoolSiC 技術而打造的。相較於上一代產品，其品質因數更優、可靠性更高，且易用性顯著提升。

不同封裝類型各具優點：TOLL 與 ThinTOLL 8x8 封裝在印刷電路板（PCB）上具備優異的熱循環穩定性，有助於實現緊湊的系統設計。應用於 SMPS 時，這類封裝可減少 PCB 的空間佔用，並在系統層面降低製造成本。

目前，TOLL 與 ThinTOLL 8x8 封裝的目標應用範圍已進一步擴大，能協助PCB 設計人員應對成本降低的挑戰。 TOLT 封裝的加入進一步強化了英飛凌不斷壯大的 TSC 產品組合－ 此組合目前已涵蓋 CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™ 及 Optimos™ 系列產品。採用 TSC 設計的裝置其直接散熱效率可達到高達 95%，且允許設計人員充分利用 PCB 的正反兩面，既能提升了空間利用率，又能減少寄生效應。

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