第二代 CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK 封裝分立元件產品擴展

來源: 英飛凌工業半導體

CoolSiC™ 1200V MOSFET（頂部散熱 Q-DPAK 單管封裝）專為工業應用設計，適用於電動車充電、光伏、不間斷電源（UPS）、固態斷路器（SSCB）、工業驅動、人工智慧（AI）及網路連線自動駕駛汽車（CAV）等領域。

Q-DPAK 封裝透過簡化組裝流程並維持卓越的散熱性能，幫助客戶降低系統成本。與底部散熱方案相比，頂部散熱器可實現更優化的 PCB 佈局，從而降低寄生元件和雜散電感的影響，同時提供增強的熱管理性能。

產品型號：

■ IMCQ120R007M2H

■ IMCQ120R010M2H

■ IMCQ120R017M2H

產品特點

SMD 頂部散熱封裝

低雜散電感設計

採用 CoolSiC™ 1200V MOSFET 第二代技術，具備增強的開關性能及 FOM 係數

.XT 擴散焊

模塑化合物（CTI > 600）及模塑槽（CD > 4.8mm）

優異的耐濕性能

具備雪崩穩健性、短路耐受能力及功率循環可靠性

應用價值

更高功率密度

支援自動化組裝

簡化設計複雜度

卓越的熱性能表現

降低系統功率損耗

支援 950V RMS 工作電壓

高可靠度設計

降低整體成本

競爭優勢

更高的功率密度

相比 BSC 封裝顯著提升熱性能

簡化電氣設計流程

應用領域

光電

電動車充電

不間斷電源 UPS

固態斷路器

AI

工業驅動

CAV

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