第二代 CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工業級與車規級碳化硅功率器件

來源: 英飛凌工業半導體

第二代 CoolSiC™ MOSFET G2 750V -工業級與車規級碳化硅功率器件

第二代 750V CoolSiC™ MOSFET 憑藉成熟的柵極氧化層技術，在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該器件在圖騰柱、有源中性點鉗位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等硬開關拓撲中表現卓越。更值得注意的是，第二代產品顯著降低了輸出電容（C _oss ），使其在循環變流器、CLLC、雙有源橋（DAB）和LLC等軟開關拓撲中能實現更高頻率的開關操作。

第二代 CoolSiC™ MOSFET 750V 完美適用於對可靠性、功率密度和效率有嚴格要求的應用，包括：車載充電機、DC-DC 變換器、DC-AC 逆變器，以及人工智能服務器、光伏逆變器和電動汽車充電設備。其採用的 Q-DPAK 封裝既能充分發揮碳化硅固有的高速開關特性，同時確保約 20W 的功率耗散能力。

產品型號：

■ AIMDQ75R016M2H

■ AIMDQ75R025M2H

■ AIMDQ75R060M2H

■ IMDQ75R004M2H

■ IMDQ75R007M2H

■ IMDQ75R016M2H

■ IMDQ75R025M2H

■ IMDQ75R060M2H

產品特點

100% 雪崩測試驗證

業界領先的 R _{DS（開啓）} × Q _fr

優異的 R _{DS（開啓）} × Q _oss 和 R _{DS（開啓）} × Q _G 表現

低 C _rss /C _{國際空間站} 和高 V _GS（第）

採用 .XT 擴散焊

配備驅動源極引腳

應用價值

魯棒性和可靠性提升

硬開關效率卓越

開關頻率更高

抗寄生導通能力出色

行業領先的散熱性能

開關損耗顯著降低

競爭優勢

通過 100% 雪崩測試，專爲汽車與工業應用設計

擴展負柵極驅動電壓範圍（-7V 至 -11V）

增強型熱性能(高達 200℃)

FOM 較上一代產品提升 20-35%

高 V _GS（th） + 低 C _rss /C _iss =0V 零伏可靠關斷

增強型熱性能(高達 200℃)

應用領域

工業應用場景：

■ 固態繼電器與隔離器

■ 固態斷路器

■ 電動汽車充電

■ 光伏

■ 不間斷電源系統 UPS

■ 儲能系統 ESS

■ 電池化成

■ 電信基礎設施 AC-DC 電源轉換

■ 服務器電源單元 PSU

汽車電子應用：

■ 高低壓 DC-DC 變換器

■ 車載充電 OBC

■ 斷路器

o 高壓電池開關

o 交直流低頻開關

o 高壓電子熔斷器

掃描二維碼,關注英飛凌工業半導體尋找更多應用或產品資訊