英飛凌推出具有超低導通電阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2，適用於汽車和工業功率電子應用

來源: 英飛凌官微

英飛凌推出新型 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。這款全新 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率及功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在 25°C 時 RDS(on) 值為 4 至 60mΩ，廣泛適用於車載充電器（OBC）、DC-DC 轉換器、電動汽車（xEV）輔助設備等應用，以及電動車充電、太陽能逆變器、儲能系統、通訊和開關電源（SMPS）等工業應用。

憑藉 4mΩ 和 7mΩ 的超低導通電阻，MOSFET 在靜態開關應用中擁有出色的表現，並成為 eFuse、高壓電池關斷開關、固態斷路器和固態繼電器等應用的理想選擇。英飛凌創新的 Q-DPAK 頂部散熱式封裝專為提供領先的熱性能和可靠性設計，RDS(on) 值低至 4mΩ，實現業界最佳規格。

該技術還具有領先的 RDS(on) x QOSS 和更佳的 RDS(on) x Qfr，可減少硬開關和軟開關拓撲結構中的開關損耗，在硬開關應用場景中效率尤為出色。由於閘極電荷減少，該技術可實現更快的開關速度並降低閘極驅動損耗，提高了在高頻率應用中的效率。

此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 在 25°C 時具有高電壓閾值（VGS(th),typ 為 4.5 V）和超低 QGD/QGS 比，進一步提高了對寄生導通（PTO）的抗擾性。該技術也支援閘極驅動能力擴展，可承受最高 -7 V 的靜態閘極電壓及最高 -11 V 的瞬態閘極電壓。這種更高的電壓耐受性為工程師提供了更大的設計餘裕，保證了與市場上其他產品更高的兼容性。

CoolSiC™ 750 V G2 具有出色的開關性能、極佳的易用性和優異的可靠性，並且完全符合 AEC Q101 車規級部件標準和 JEDEC 工業級部件標準。該技術透過實現更高效、緊湊和經濟的設計，滿足了日益增長的市場需求，展現了英飛凌在安全關鍵型汽車應用可靠性和耐用性上的投入。

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