新品 | 採用高性能 DCB 的 Easy B 系列 CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET 模塊

來源: 英飛凌工業半導體

採用高性能 DCB 的 Easy B 系列 CoolSiC™2 kV 碳化硅場效應管模塊

英飛凌 EasyDUAL™ 和 EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ 半橋和三電平模塊採用 CoolSiC™ SiC MOSFET 增強型 1 代 M1H 芯片，集成 NTC 溫度傳感器，PressFIT 觸點技術和氮化鋁陶瓷 DCB。目標應用直流 - 直流變換器，電動汽車充電，光伏和儲能系統等。

產品型號

■ FF6MR20W2M1HB70

■ F3L6MR20W2M1HB70

產品特點

同類最佳封裝，高度爲 12 毫米

先進的 WBG 材料

模塊 雜散電感 極低

柵源電壓範圍寬

開關和導同損耗低

過載運行溫度最高可達 175°C

應用價值

提高系統效率

降低冷卻要求

實現更高頻率

提高功率密度

緊湊型設計

與 1500V 直流母線完美匹配

競爭優勢

擴展 2kV 產品組合，爲客戶提供可擴展的解決方案，滿足更高的應用要求

新模塊配備了最新的高性能陶瓷（AlN）DCB ，有助於延長系統使用壽命和/或支持更高 的額定功率

應用領域

直流-直流變換器

電動汽車充電

光伏

儲能系統

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