採用頂部散熱 Q-DPAK 封裝的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

來源: 英飛凌工業半導體

英飛凌採用頂部散熱 Q-DPAK 封裝的 CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET 單管，專為各種工業應用開發，包括工業驅動、電動車充電、太陽能，SSCB，人工智慧，不斷電系統和 CAV 等。

頂部散熱 Q-DPAK 具有出色的散熱性能，更易於組裝，從而降低了客戶的系統成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器可實現更優化的 PCB 佈局，從而減少寄生元件和寄生電感的影響。同時還能增強散熱能力。

產品型號

■ IMCQ120R026M2H

■ IMCQ120R034M2H

■ IMCQ120R040M2H

■ IMCQ120R053M2H

■ IMCQ120R078M2H

產品特點

SMD 頂部散熱封裝

雜散電感低

CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 技術具有最佳化的開關性能和 FOM 因子

.XT 擴散焊

最低 RDS(on)

封裝材料 CTI > 600

爬電距離 > 4.8mm

耐濕性

雪崩保護、短路保護及寄生導通 PTO 保護

應用價值

更高的功率密度

實現自動裝配

不需要太複雜的設計

與底部散熱封裝相比，具有出色的熱性能

改善系統功率損耗

電壓有效值 950V，污染度為 2

可靠性高

降低 TCO 成本或 BOM 成本

應用領域

電動車充電

太陽能

UPS

SSCB

工業驅動器

人工智慧

CAV

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