英飛凌新一代 750V SiC MOSFET 將革新汽車與工業功率電子產品

來源: 英飛凌官方微信

750V 碳化硅場效應管 —— 750V CoolSiC™ MOSFET 車規級和工業級產品，導通電阻範圍 7mΩ 至 140mΩ

英飛凌 750V CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET 分立器件具有業界領先的 抗寄生 導通能力和成熟的柵極氧化層技術，可在 Totem Pole、ANPC、 Vienna 整流器 和 FCC 等硬開關拓撲中實現卓越性能。

此外，第二代產品大幅降低輸出電容（Coss），使其能夠在 Cycloconverter、CLLC、DAB 和 LLC 等軟開關拓撲中以更高開關頻率運行。

產品完美適用於對可靠性、功率密度和效率有嚴格要求的應用，包括車載充電器、DC-DC 轉換器、DC-AC 轉換器，以及 AI 服務器、太陽能逆變器和電動汽車充電設備。採用 Q-DPAK 封裝可充分發揮 SiC 技術固有的快速開關速度，同時確保約 20W 的功率耗散能力。

產品亮點

CoolSiC™MOSFET 750 V

• 穩健的 750 V 技術，經過測試的 100% 抗雪崩能力

• 出類拔萃的 R _{DS（開啓）} x Q _fr

• 出色的 R _{DS（開啓）} x Q _oss 及 R _{DS（開啓）} x Q _G

• 低 C _rss /C _{國際空間站} 和高 V _GS（第）的獨特組合

• 英飛凌專有裸片接合技術

• 提供驅動源引腳

關鍵特性

• 插件和貼片封裝

• 集成開爾文源極

• 車規級器件符合 AEC-Q101 認證標準，工業級器件通過 JEDEC 認證

• 高度細分的產品組合：導通電阻範圍 8mΩ 至 140 mΩ，支持多種封裝規格

Q-DPAK 頂部散熱封裝

頂部散熱（TSC）器件是表面貼裝功率器件，焊接在印刷電路板（PCB）上。半導體芯片產生的熱量通過封裝頂部傳導至連接的散熱器。TSC 功率封裝是改善熱性能和電氣性能的解決方案。這類封裝還有助於提高功率密度並降低製造難度。

車規級 MOSFET

“Tiny Power Box” 項目由英飛凌與奧地利硅實驗室（Silicon Austria Labs）聯合開發，採用全英飛凌 CoolSiC™ 解決方案，打造了一款緊湊型單相 7 千瓦車載充電器。

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