英飛凌推出採用 Q-DPAK 和 TOLL 封裝的全新工業 CoolSiC™ MOSFET 650V G2，實現更高的功率密度

來源: 英飛凌官方微信

電子產業正在向更緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢並進一步推動系統層面的創新，英飛凌正在擴展其 CoolSiC™ MOSFET 650V 單管產品組合，推出了採用 Q-DPAK 和 TOLL 封裝的兩個全新產品系列。

這兩個產品系列採用頂部和底部冷卻並基於 CoolSiC™ Generation 2（G2）技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用於中高功率開關模式電源（SMPS）開發，包括 AI 伺服器、可再生能源、充電樁、電動交通工具和人形機器人、電視機、驅動器以及固態斷路器。

TOLL 封裝具有出色的板載熱循環（TCoB）能力，可通過減少印刷電路板（PCB）佔板面積來實現緊湊的系統設計。在用於 SMPS 時，它還能減少系統級製造成本。 TOLL 封裝現在適用於更多目標應用，使 PCB 設計者能夠進一步降低成本並更好地滿足市場需求。

Q-DPAK 封裝的推出補充了英飛凌正在開發的新型頂部冷卻（TSC）產品，包括 CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™ 和 OptiMOS™。 TSC 產品使客戶能夠以低成本實現出色的穩健性以及更大的功率密度和系統效率，還能將直接散熱率提高至 95%，透過實現 PCB 的雙面使用更好地管理空間和減少寄生效應。

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