2024 年度盤點：創新賦能，銳意前行

來源: 英飛凌工業半導體

2024 年，面對充滿挑戰且不確定的市場環境，英飛凌始終秉持創新驅動技術領先的原則，不斷突破技術與產品性能的邊界，接連推出了多款重量級產品。今日，小編帶你一起盤點 2024 年的高光時刻。

全新 2000V CoolSiC™ MOSFET和二極體，

業界首發

作為市面上第一款擊穿電壓達到 2000V 的碳化矽分立器件，全新推出的 CoolSiC™ MOSFET 2000V 採用 TO-247PLUS-4-HCC 封裝，爬電距離為 14mm，電氣間隙為 5.4mm。適用于最高 1500 VDC 的高直流電壓母線系統。與 1700V SiC MOSFET 相比，這些器件還能為 1500 VDC 系統的過壓提供更高的裕量。CoolSiC™ MOSFET 的基準柵極閾值電壓為 4.5V，並且配備了堅固的體二極體來實現硬換向。憑藉 .XT 連接技術，這些器件可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。該系列得益於其較低的開關損耗，適用於太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統和電動汽車充電應用。最新推出的採用 TO-247PLUS-4 HCC 封裝的 CoolSiC™ 肖特基二極體 2000V G5 系列與其完美適配。目前，該系列產品以及相應的評估板均已上市。

新一代碳化矽技術 CoolSiC™ MOSFET G2，

達到業界單晶片最大功率密度

英飛凌全新的 CoolSiC™ MOSFET 650V 和 1200V G2 技術，在確保品質和可靠性的前提下，相較於上一代產品，將 MOSFET 的主要性能指標（如能量和電荷儲量）優化了 20%，進一步提升了整體能效。採用的 .XT 技術將晶片的瞬態熱阻降低了 25% 甚至更高。與傳統的鍵合技術相比，.XT 技術不僅使晶片性能提升了 15%，還將其使用壽命延長了 80%。CoolSiC™ MOSFET G2 的最大工作結溫從 175 攝氏度提升到 200 攝氏度，這一改進進一步增強了產品的堅固耐用性，並為用戶提供了更大的設計靈活性，使在超載條件下的開發設計成為可能。

最新推出的 1200V CoolSiC™ MOSFET G2 TO-263-7 封裝以及 TO-247-4-HC 封裝，分別實現了 7 毫歐和 8 毫歐的超低導通電阻，達到業界單晶片最大功率密度的領先水準。在達到最高功率密度和最低導通電阻的同時，CoolSiC™ MOSFET G2 還保證 2uS 的短路耐受時間。CoolSiC™ MOSFE 新一代 G2 技術繼續發揮碳化矽的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率，為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源等功率半導體應用領域的客戶帶來了巨大優勢。

高性能 CIPOS™ Maxi 智慧功率模組，

適用于功率高達 4 千瓦的工業電機驅動器

高性能 CIPOS™ Maxi 智慧功率模組 IM12BxxxC1 系列基於最新的 TRENCHSTOP™ IGBT7 1200V 和快速二極體 EmCon 7 技術，具有卓越的控制能力和性能，大大提高了效率和功率密度。採用的 DIP 36x23D 封裝，提高可靠性、並優化 PCB 尺寸，降低系統成本，使其成為 1200V IPM 的最小封裝，在同類產品中具有最高功率密度和最佳性能。隔離式雙列直插模制外殼的設計，具有出色的熱性能和電氣隔離性能，滿足苛刻設計的 EMI 和超載保護要求。憑藉其多功能引腳，這款 IPM 可為各種用途提供高度的設計靈活性。該產品組合三款新產品已全部上市，電流規格從 10A 到 20A 不等，輸出功率最高可達 4.0kW，適用於電機驅動、泵、風扇、熱泵以及供暖、通風和空調用室外風扇等中低功率驅動器應用。

全新 4.5kV XHP™ 3 IGBT 模組，

讓驅動器實現尺寸小型化和效率最大化

為了順應小型化和集成化的全球趨勢，XHP™ 系列包括一款帶有一個發射極控制續流二極體和 TRENCHSTOP™ IGBT4 450A 半橋 IGBT 模組，以及一款帶有發射極控制 E4 二極體的 450A 二極體半橋模組。這兩個模組的絕緣電壓均提高至 10.4kV。通過將模組並排放置的創新設計，簡化了並聯設計，使得模組在並聯時只需要一個直流母線即可實現，有助於在不降低效率的情況下簡化並聯並且縮小尺寸，減少元器件的使用數量。目前，兩種型號的 IGBT 模組 FF450R45T3E4_B5 和 DD450S45T3E4_B5 現已上市，適用於 2000V 至 3300V 交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸的應用市場。

新型固態隔離器 iSSI 系列，

切換速度更快，功耗降低高達 70%

全新固態隔離器產品 iSSI產品系列可實現更快速、可靠的電路交換，並擁有光電固態所不具備的保護功能。這些隔離器採用無磁芯變壓器技術，支援高 20 倍的能量傳輸的同時，還具備了電流和溫度保護功能，實現更高的可靠性和更低的成本。與目前使用的傳統的固態隔離器驅動 SCR（矽控整流器）和可控矽的方案相比，新的固態隔離器可驅動英飛凌的 OptiMOS™ 和 CoolMOS™，其功耗降低高達 70%，進一步提高電子和機電系統的效率，適用于先進電池管理、儲能、可再生能源系統，以及工業和樓宇自動化系統應用。

新型 EiceDRIVER™ Power 全橋變壓器

驅動器系列，適用於結構緊湊、經濟高效

的柵極驅動器電源

EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR 全橋變壓器驅動器系列採用具有功率集成技術和多項優化功能的緊湊型 TSSOP8 引腳封裝，可產生非對稱輸出電壓，通過獨特的占空比調整功能，專為非對稱式柵極驅動器電源進行了優化。該系列支援最高 20V 寬輸入電壓範圍，還集成了溫度、短路和欠壓鎖定（UVLO）保護以防止意外系統故障，適用於需要隔離式柵極驅動器的工業和消費類應用，包括太陽能應用、電動汽車充電、儲能系統、焊接、不斷電供應系統、驅動應用等。目前，該系列四個型號均已上市：2EP100R 和 2EP101R 專為 IGBT 和 SiC MOSFET 柵極驅動器電源的低元件數設計進行了優化；2EP110R 允許對占空比進行微調，使輸出電壓比與 SiC 和 GaN 功率開關的應用要求相匹配；2EP130R 專為高度靈活的設計進行了優化，以滿足不同的應用要求。

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