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2025-01-06英飛凌推出業界首款用於太空應用的 QML 認證 512 Mbit 抗輻射加固設計 NOR 快閃記憶體
來源:英飛凌官方微信
英飛凌近日推出業界首款用於太空和極端環境應用的 512 Mbit 抗輻射加固設計 QSPI NOR 快閃記憶體。這款半導體器件採用快速四串列外設介面（133MHz），具有極高的密度、輻射和單次事件效應（SEE）性能，是一款完全通過 QML 認證的非易失性記憶體，可與太空級 FPGA 和微處理器配合使用。
512 Mbit 抗輻射加固設計 QSPI NOR 快閃記憶體
這款新器件由美國空軍研究實驗室太空飛行器局 (AFRL) 資助，並與 Microelectronics Research Development Corporation（Micro-RDC）共同開發而成。它基於英飛凌經過實際驗證的 SONOS（矽襯底-隧穿氧化層-電荷存儲層氮化矽-阻擋氧化層-多晶矽柵極）電荷柵阱技術，運行速度較低密度替代品提高多達 30%。
下一代太空級系統的設計者對高可靠性、高密度記憶體的需求不斷增長。我們與英飛凌、Micro-RDC 等行業領導者合作，共同開發出一種集高密度、高資料傳輸速率與優於替代品的輻射性能於一身的技術解決方案。
Richard Marquez/AFRL 太空電子技術專案經理
英飛凌的抗輻射加固設計 NOR 快閃記憶體很好地補充了 Micro-RDC 的極端應用環境解決方案系列。隨著 512 Mbit 密度器件的推出，設計者能夠設計出性能卓越的系統，以滿足比以往更廣泛任務類型的嚴格要求。
Joseph Cuchiaro/Micro-RDC 總裁
此次英飛凌 512 Mbit NOR 快閃記憶體家族擴展到抗輻射加固記憶體產品組合，進一步證明了我們致力於提供高度可靠的高性能記憶體來滿足下一代太空需求。與 AFRL 和 Micro-RDC 的合作推動了行業領先技術的發展，通過採用提高關鍵衛星功能性能的技術，來應對空間應用中遇到的極端環境。
Helmut Puchner/英飛凌科技航空航太與國防業務副總裁
英飛凌的 SONOS 技術獨特地結合了密度和速度，以及先進的輻射性能，具有高達 10000P/E 的出色耐用性和長達 10 年的資料保存期。該產品的 133MHz QSPI 介面為太空級 FPGA 和處理器提供了高資料傳輸速率，並採用占板面積 1”x1” 的陶瓷 QFP（QML-V），以及占板面積更小的 0.5”x0.8” 塑膠 TQFP（QML-P）兩種封裝。此外，該器件還為太空 FPGA 引導代碼解決方案提供了最高密度的 TID/SEE 性能組合。其 QML-V/P 封裝獲得 DLAM 認證，能夠滿足最嚴格的行業資格認證要求。
該器件的典型用例包括太空級 FPGA 的配置映射存儲和太空級多核處理器的獨立啟動代碼存儲。
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