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英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
來源: 英飛凌官方微信
英飛凌近日宣佈推出新型高壓分立器件系列 CoolGaN™ 650V G5 電晶體,該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產品組合。
該新產品系列的適用範圍廣泛,包括 USB-C 適配器和充電器、照明、電視、資料中心、電信整流器等消費和工業開關電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機驅動器。
CoolGaN™ 650V G5電晶體
最新一代 CoolGaN™ 電晶體可直接替代 CoolGaN™ 600V G1 電晶體,實現了現有平臺的快速重新設計。新器件改進了性能指標,確保為重點應用帶來具有競爭力的開關性能。
與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比,CoolGaN™ 650V G5 電晶體輸出電容中存儲的能量(Eoss)降低了多達 50%,漏源電荷(Qoss)和柵極電荷(Qg)均減少了多達 60%。
憑藉這些特性,新器件在硬開關和軟開關應用中都具有出色的效率。與傳統的半導體技術相比,其功率損耗大幅降低,根據具體使用情況可降低 20% - 60%。
這些優勢使該系列器件能夠在高頻率下以極低的功耗工作,因此具有出色的功率密度。CoolGaN™ 650V G5 電晶體使 SMPS 應用變得更小、更輕,或在規定外形尺寸的情況下提高輸出功率範圍。
該新型高壓電晶體產品系列提供多種 R
所有產品均在奧地利菲拉赫和馬來西亞居林的高性能 8 英寸生產線上生產。未來,CoolGaN™ 將過渡到 12 英寸生產線。
這將使英飛凌進一步擴大其 CoolGaN™ 產能,並確保在 GaN 功率市場上擁有穩健的供應鏈。Yole Group 預測到 2029 年,該市場規模將達到 20 億美元[1]。
[1] 來源:Yole Intelligence, 2024 年氮化鎵功率器件報告
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