英飛凌 SiC 超結技術樹立新標準，加速電動汽車普及與工業效率提升

來源: 英飛凌汽車電子生態圈

英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）作為碳化矽（SiC）功率元件及 SiC MOSFET 溝槽柵技術的領導者，始終以卓越性能與高可靠性相結合的解決方案引領行業。目前，CoolSiC™ 產品系列覆蓋了 400V 至 3.3kV 的電壓範圍，應用領域包括汽車動力傳動系統、電動汽車充電、光伏系統、儲能及高功率牽引逆變器等。現在，英飛凌又憑藉豐富的 SiC 業務開發經驗以及在矽基電荷補償器件（CoolMOS™）領域的創新優勢，推出了 SiC 溝槽型超結（TSJ）技術。

IDPAK 封裝 MDIP-04-01

英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁 Peter Wawer 表示：

"TSJ 技術的推出顯著擴展了我們的 SiC 技術能力。溝槽柵結構與超結技術的結合可以實現更高的效率和更緊湊的設計，這對於性能和可靠性要求極高的應用十分重要。"

英飛凌致力於通過 SiC TSJ 技術逐步擴展 CoolSiC™ 產品組合。此次擴展涵蓋多種封裝形式，包括分立器件、模塑和框架封裝模塊，以及裸晶圓。擴展後的產品組合能夠滿足汽車和工業領域的廣泛應用需求。

首批基於這項新技術的產品是適用於汽車牽引逆變器的 IDPAK 封裝 1200V 功率器件。產品充分利用英飛凌在 SiC 及矽基超結技術（CoolMOS™）領域 25 年多的經驗，集溝槽柵技術與超結設計優勢於一身。該可擴展封裝平台支持最高 800kW 功率，可實現高度靈活的系統配置。這項技術的主要優勢之一是通過降低 Ron*A 多達 40% 以獲得更高的功率密度，從而在相同功率等級下實現更緊湊的設計。此外，IDPAK 封裝的 1200V SiC TSJ 功率器件可在不犧牲短路能力的前提下，將主逆變器電流承載能力提升多達 25%。

這一技術進步還為要求嚴苛的汽車和工業應用帶來了整體系統性能提升，包括更低的能耗和散熱要求，以及更高的可靠性。此外，該系統還降低了並聯要求，從而簡化了設計流程並降低了整體系統成本。憑藉這些創新優勢，基於 IDPAK 封裝的 SiC TSJ 功率器件將助力汽車應用領域設計出更高效、更具成本效益的牽引逆變器。

英飛凌科技汽車電子事業部總裁 Peter Schiefer 表示：

"作為全球汽車半導體領域的領導者，英飛凌始終引領創新步伐，助力構建汽車技術進步與可持續交通出行之間的橋樑。我們全新的基於溝槽柵結構的 SiC 超結技術能夠提升效率和簡化系統設計，為電動汽車動力傳動系統帶來更大的價值。"

現代汽車公司開發團隊是英飛凌 TSJ 技術的首批客戶之一，他們將充分利用這項技術的優勢提升其電動汽車產品性能。該合作能夠幫助現代汽車開發出更加高效、緊湊的電動汽車動力傳動系統。

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