今年 3 月，英飛淩推出了市面上第一款擊穿電壓達到 2000V 的碳化矽分立器件，全面開啟碳化矽 2000V 的時代。最新的 2000V CoolSiC™ MOSFET 採用 TO-247PLUS-4-HCC 封裝，爬電距離為 14mm，電氣間隙為 5.4mm。 作為英飛淩的創新產品，其在直流母線電壓表現搶眼，能為 1500 VDC 系統的過壓提供更高的裕量。

英飛淩 IPAC“CoolSiC™ 碳化矽直播季”去年一經上線，備受好評！
5 月 14 日 14：00，今年的碳化矽季正式回歸，
首期話題將為您揭開 CoolSiC™ MOSFET 2000V 的神秘面紗：

- 增強型 M1H CoolSiC™ MOSFET 技術帶來哪些產品優勢？
- 2000V CoolSiC™ 碳化矽分立器件和模組產品各有什麼特點？
- 如何應對 2000V CoolSiC™ MOSFET 的驅動挑戰？
- 2000V CoolSiC™ MOSFET 在應用設計時需要關注哪些設計難點？

鎖定碳化矽季未來幾期，更多福利/驚喜將在直播間呈現：
CoolSiC™ MOSFET 2000V 產品評估板首次公開發佈售賣，
柵極驅動器重點知識講解，儲能方面的應用……

嘉賓介紹：
波老師：IPAC 常駐主持
沈嵩：碳化矽資深專家，具有豐富的逆變器設計系統經驗和功率器件應用知識
趙佳：碳化矽資深專家，長期負責功率半導體產品在新能源等應用技術支援

時間：2024 年 5 月 14 日（週二）14:00

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