來源：英飛凌工業半導體

採用 D²PAK-7L（TO-263-7）封裝的第二代 CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。

第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用於所有常見的交流 - 直流、直流 - 直流和直流 - 交流各種功率變換。

相關產品：

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• IMBG120R181M2H
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產品特點

• 開關損耗極低
• 過載運轉溫度最高可達 Tvj=200°C
• 短路耐受時間 2µs
• 標桿性的閘極閾值電壓，VGS(th)=4.2V
• 抗寄生開通能力強，可用 0V 閘極關斷電壓
• 用於硬換流的堅固體二極體
• .XT 互聯技術可實現同類最佳的散熱性能

應用價值

• 更高的能源效率
• 優化散熱
• 更高的功率密度
• 新的穩健性功能
• 高可靠性

競爭優勢

• 最低 RDS(on），最高輸出能力
• 市面上最精細的產品系列，8-234mΩ11 款
• 過載運轉溫度最高可達 Tvj=200°C
• 強大的短路額定值
• 雪崩穩健性

應用領域

• 電動車充電
• 組串逆變器
• 線上式 UPS / 工業 UPS
• 通用變頻器（GPD）

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