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來源:英飛凌工業半導體
採用2000V SiC M1H晶片的
62mm半橋模組,最大規格2.6mΩ
2000V 的 62mm CoolSiC™ MOSFET 半橋模組現已上市,有 2.6mΩ 和 3.5mΩ 兩種規格。由於採用了 M1H 晶片技術,模組在 VGS(th)、RDS(on) 漂移和柵極驅動電壓視窗方面性能得到了改善。
這些模組還提供預塗導熱介面材料(TIM)版本。
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(P)為預塗導熱介面材料(TIM)版本
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