來源：英飛凌官方微信

小型分立式功率 MOSFET 在節省空間、降低成本和簡化應用設計方面發揮著至關重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現靈活的佈線並縮小系統的整體尺寸。英飛凌科技近日推出先進的全新 OptiMOS™ 功率 MOSFET，進一步擴大其採用 PQFN 2x2 mm² 封裝的功率 MOSFET 的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標杆解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣泛適用於各種應用，如伺服器、通信、可擕式充電器和無線充電器中開關電源（SMPS）裡的同步整流等。此外，新產品在無人機中還可應用於小型無刷電機的電子速度控制器等。

• 全新的 OptiMOS™6 40V 功率 MOSFET 以及 OptiMOS™5 25V 和 30V 功率 MOSFET 進一步優化了用於高性能設計的成熟 OptiMOS™ 技術。新產品採用超小型 PQFN 2x2 mm² 封裝，具備先進的矽技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC 最大值為 3.2 K/W）。這些新器件擁有業界極低的導通電阻和業界領先的性能指標（FOMs, QG 和 QOSS），能夠實現出色的動態開關性能。因此，這些具有超低開關損耗和低導通損耗的 MOSFET 器件能夠保證極佳的能效和功率密度，同時簡化散熱管理。

OptiMOS™ 功率開關採用緊湊的 PQFN 2x2 mm² 封裝，能夠縮小系統尺寸，讓終端使用者應用的幾何外形變得更加小巧、靈活。通過減少並聯需求，這些 MOSFET 器件提升了系統設計的可靠性，顯著降低了占板空間和系統成本。