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用於高速開關應用的 1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET
增強型 1 代 1200V CoolSiC™ MOSFET 的 EasyDUAL™ 1B 半橋模組,採用 PressFIT 壓接式安裝技術和溫度檢測 NTC,並有使用預塗的熱介面材料(TIM)版本。
產品型號:
FF17MR12W1M1H_B11
17mΩ 1200V
FF17MR12W1M1H_B70
17mΩ 1200V 低熱阻
FF17MR12W1M1HP_B11
17mΩ 1200V TIM 版本
FF33MR12W1M1H_B11
33mΩ 1200V
FF33MR12W1M1HP_B11
33mΩ 1200V TIM 版本
產品特點
1200V CoolSiC™ MOSFET
Easy1B 封裝
Best-in-class 12 毫米高度模組封裝
非常低的模組寄生電感
RBSOA 反向工作安全區寬
柵極驅動電壓視窗大
PressFIT 引腳
兩個阻值型號都有帶有熱介面材料版本
應用價值
擴展了柵源電壓最大值:+23V 和 -10V
在超載條件下,Tvjop 最高可達 175°C
最佳的性價比,可降低系統成本
可工作在高開關頻率,並改善對冷卻要求
競爭優勢
引入新的 M1H 增強型 1 代晶片系列模組,Best-in-class 1200V Easy1B 模組
採用英飛凌 WBG 材料,達到功率和效率的新水準
緊跟市場的新趨勢,支援多種目標應用
應用領域
電機控制和驅動
不斷電供應系統(UPS)
電動汽車充電
光伏系統的解決方案
儲能系統