【 2023 年 04 月 13 日，德國慕尼克訊】追求高效率的高功率應用持續向更高功率密度及成本最佳化發展，也為電動汽車等產業創造了永續價值。為了應對相應的挑戰，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣佈其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功註冊為 JEDEC 標準。這項舉措不僅進一步鞏固了英飛凌將此標準封裝設計和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設計的目標，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優勢，説明他們在市場中創造差異化的產品，並將功率密度提升至更高水準，以支持各種應用。

英飛凌科技高電壓封裝首席工程師Ralf Otremba表示：“作為解決方案提供商，英飛凌持續通過創新的封裝技術和制程，對半導體產業發揮影響力。我們先進的頂部冷卻封裝為器件和系統層級帶來顯著的優勢，能夠滿足尖端高功率設計的挑戰性需求。封裝外形的標準化可確保不同廠商設計的引腳相容性——這是OEM廠商在高電壓應用所面對的主要設計考量之一，由此可以讓OEM廠商不再需要在這一方面耗費心力。”

半個多世紀以來，JEDEC組織持續領導全球微電子產業進行各項技術，包括封裝外型的開放式標準的開發以及出版物編寫工作。JEDEC廣泛納入了各種半導體封裝，例如 TO220 和 TO247 通孔器件 (THD)——這類器件在過去幾十年來受到廣泛採用，目前仍是新型車載充電器 (OBC) 設計、高壓 (HV) 和低壓 (LV) DC-DC 轉換器的設計選項。

QDPAK和DDPAK表面貼裝（SMD）TSC封裝設計的成功註冊，標誌著封裝外形將迎來嶄新紀元，將推動市場更廣泛地採用 TSC 技術以取代 TO247 和 TO220。憑藉這一技術優勢以及根據MO-354 標準，此項新 JEDEC 註冊封裝系列將成為高壓工業和汽車應用過渡至下一代平臺中頂部冷卻設計的重要推手。

為了協助客戶進行TO220和TO247 THD器件的設計過渡，英飛凌特別推出可提供同等散熱能力與較佳電氣效能的 QDPAK 和 DDPAK SMD器件。適用於 HV 與 LV 器件的 QDPAK 和 DDPAK SMD TSC 封裝採用 2.3 mm標準高度，可讓開發人員使用所有相同高度的 SMD TSC 器件來設計完整應用，例如 OBC 和 DC-DC 轉換。相較於必須使用 3D 冷卻系統的現有解決方案，此封裝不只對設計更有利，還可降低冷卻系統成本。

另外，TSC封裝最多可比標準底部冷卻（BSC）降低35%的熱阻。TSC 封裝充分發揮 PCB 雙面的效益，可提供較佳的電路板空間利用率以及至少兩倍的功率密度。由於封裝引腳熱阻比外露的封裝頂部高了許多，因此基板的熱解耦也可提升封裝的熱管理。散熱效能提升後，就不必再堆疊各種不同的板子。所有元件只要單一 FR4 就已足夠，不用再結合 FR4 和 IMS，需要的接頭也較少。這些功能對整體物料清單 (BOM) 都有助益，最終可降低整體系統成本。

除了提升散熱和功率能力，TSC 技術也提供更佳的電源回路設計，因為驅動器配置可以非常靠近電源開關，所以更加穩定。驅動器開關回路的低雜散電感則可降低回路寄生效應，因此柵極振盪較少、效能較高、故障風險較小。

如需瞭解更多資訊，請訪問： www.infineon.com/ddpak和www.infineon.com/obc。

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英飛凌科技宣佈其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功註冊為 JEDEC 標準。這項舉措不僅進一步鞏固了英飛凌將此標準封裝設計和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設計的目標，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優勢，説明他們在市場中創造差異化的產品，並將功率密度提升至更高水準，以支持各種應用。

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英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣佈其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功註冊為 JEDEC 標準。這項舉措不僅進一步鞏固了英飛凌將此標準封裝設計和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設計的目標，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優勢，説明他們在市場中創造差異化的產品，並將功率密度提升至更高水準，以支持各種應用。

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