[ Infineon] 650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度



發佈日期:2018-05-29

德國慕尼克訊——英飛淩科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP™ 5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極體組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度日益增長的需求,適於使用自動化表面貼裝生產線。要求最大功率密度和能效的典型應用包括太陽能逆變器、不斷電供應系統(UPS)、電池充電和蓄電等。

英飛淩的超薄TRENCHSTOP 5技術可以縮小晶片尺寸、提高功率密度。得益于此,英飛淩率先將40 A 650V IGBT和40 A二極體組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品,這個新的產品家族的額定參數高於市場上的所有其他產品,其他組合封裝解決方案的功率僅為其75%。

新器件的高功率密度允許設計人員升級現有設計,開發輸出功率提高最多25%的新平臺,或者減少並聯功率器件數量,從而實現更緊湊的設計。獨一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247,用於表面貼裝。這可支援輕鬆焊接,實現快速且可靠的貼裝生產線。

供貨情況

全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 650V IGBT已投入量產。產品家族包括15 A、20 A、30 A單管IGBT,以及15 A、20 A、30 A和40 A IGBT與相同電流參數飛輪二極體組合封裝解決方案。更多資訊請訪問 >>www.infineon.com/trenchstop5/d2pak

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D2PAK_TRENCHSTOP_5


出處: https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/market-news/2018/INFIPC201805-056.html