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[Infineon] 碳化矽單管 MOSFET (1200V 和 650V)
2020-03-03

CoolSiC™ SiC MOSFET 單管封裝,採用最先進的溝槽半導體工藝,經過優化,可實現應用中最低的損耗和最高的運行可靠性。溫度獨立的低開關損耗和快速內部自由運轉二極體使 CoolSiC™ MOSFET 非常適合硬諧振開關架構(如功率因數校正(PFC)電路、雙向架構和直流-直流轉換器或直流交流逆變器。

出色的抗干擾對不需要的寄生啟動效應,即使在橋式架構中零伏關斷電壓下,也能實現基準低動態損耗。我們通過一系列精選的驅動 IC 產品完成我們的單管產品,通過超快的 SiC MOSFET 開關功能滿足需求。

CoolSiC™ MOSFET 和 EiceDRIVER™ IC 一起利用該技術的優勢:提高效率、節省空間和重量、零件計數還原功能。

單管 CoolSiC™ MOSFET 配有快速內部自由自轉二極體,因此無需額外的二極體晶片即可進行硬切換。由於其單極特性,具有極低、與溫度無關的開關和低傳導損耗,尤其是在部分負載條件下。我們獨特的碳化矽(SiC)CoolSiC™ MOSFET 1200 V 和 650 V 的 MOSFET 單管產品非常適合硬諧振開關架構,如 LLC 和 ZVS,並且可以使用標準磁碟機像 IGBT 或 CoolMOS™ 一樣驅動。這些堅固的器件通過最先進的溝渠設計、一流的開關和傳導損耗、最高的跨導電平(增益)、Vth = 4 V 的閾值電壓和短路,提供卓越的閘極氧化物可靠性。

更多資訊請瀏覽 : https://www.infineon.com/cms/cn/product/power/mosfet/silicon-carbide/discretes/