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[Microchip] Microchip 持續擴大氮化鎵(GaN)射頻功率元件產品組合
全新單晶微波積體電路(MMIC)和分離元件,可滿足 5G、衛星通訊和國防應用的效能要求
2021-12-02

Microchip Technology Inc. 今日宣佈大幅擴展其氮化鎵(GaN)射頻(RF)功率元件產品組合,推出頻率最高可達 20 GHz 的新款單晶微波積體電路(MMIC)和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率(PAE)和高線性度,為 5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準。

與所有 Microchip 的 GaN 射頻功率產品一樣,新元件採用碳化矽基氮化鎵技術製造,提供了高功率密度和產量的最佳組合,可在高壓下運行,255℃接面溫度下使用壽命超過 100 萬小時。

這些產品包括覆蓋 2 至 18GHz、12 至 20GHz 和 12 至 20GHz 的氮化鎵 MMIC,3dB 壓縮點(P3dB)射頻輸出功率高達 20W,效率高達 25%,以及用於 S 和 X 波段的裸晶和封裝氮化鎵 MMIC 放大器,PAE 高達 60%,以及覆蓋直流至 14 GHz 的分離高電子遷移率電晶體(HEMT)元件,P3dB 射頻輸出功率高達 100W,最大效率為 70%。

Microchip 分離產品業務部副總裁 Leon Gross 表示:「Microchip 持續投入打造 GaN 射頻產品系列,以支援從微波到毫米波長所有頻率的各種應用。我們的產品組合包括從低功率水準到 2.2 千瓦的 50 多種元件。今天宣佈推出的產品跨越了 2 至 20GHz,旨在解決 5G 和其他無線網路採用的高階調變技術帶來的線性度和效率挑戰,以及滿足衛星通訊和國防應用的獨特需求。」

除 GaN 元件外,Microchip 的射頻半導體產品組合包括砷化鎵(GaAs)射頻放大器和模組、低雜訊放大器、前端模組(RFFE)、變容二極體、蕭特基和 PIN 二極體、射頻開關和電壓可變衰減器。此外,公司還提供高效能表面聲波(SAW)感測器和微機電系統(MEMS)振盪器以及高度整合的模組。這些模組將微控制器(MCU)與射頻收發器(Wi-Fi® MCU)相結合,支援從藍牙®和 Wi-Fi 到 LoRa® 的主要短程無線通訊協定。

開發工具

Microchip 及其經銷合作夥伴均提供電路板設計支援,協助客戶進行設計。此外,公司還為該款全新 GaN 產品提供緊湊型模型,讓客戶能夠更容易建立效能模型,加快系統中功率放大器的設計。

供貨

今日發佈的元件(包括 ICP0349PP7-1-300I 和 ICP1543-1-110I)以及其他 Microchip 射頻產品均已投入量產。如需瞭解更多資訊,請聯繫 Microchip 業務代表或瀏覽 Microchip 網站。如需購買 Microchip GaN 產品,請聯繫 Microchip 授權經銷商。

資源

高解析度圖片可透過 Flickr 或新聞連絡人獲得(可自由採用):

Microchip Technology Inc. 簡介

Microchip Technology Inc. 是間智慧型,連線式和安全嵌入式控制解決方案的領先半導體供應商。其易於使用的開發工具和全面的產品組合使客戶能夠創建最佳設計,從而降低風險,同時也減少整體系統成本和上市時間。Microchip 的解決方案已為工業、汽車、消費、航太和國防、通訊以及計算市場超過 12 萬家客戶提供優質的服務。Microchip 總部位於美國亞利桑那州 Chandler 市,提供出色的技術支援、可靠的產品和卓越的品質。詳情請瀏覽公司網站 http://www.microchip.com/

註:Microchip 名稱和識別標誌組合、Microchip 識別標誌以及 maXTouch 是 Microchip Technology 在美國及其他國家的註冊商標。在此提及的所有其他商標均爲其各自持有公司所有。

新聞聯絡人:

美商 Microchip

阮佩明

亞太區資深市場傳播經理

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