近日，英飛淩科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）將 EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET 模組升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。該器件採用半橋配置， EasyDUAL 1B 封裝的導通電阻（R _DS(on)）為 11 mΩ，EasyDUAL 2B 封裝的導通電阻（R _DS(on)）為 6 mΩ。升級為高性能 AIN 後，該 1200 V 器件適合用於高功率密度應用，包括太陽能系統、不斷電供應系統、輔助逆變器、儲能系統和電動汽車充電樁等。

EasyDUAL 模組 FF11MR12W1M1_B70 和 FF6MR12W2M1_B70 採用具有優良的柵極氧化層可靠性最新 CoolSiC MOSFET 技術。由於 DCB 材料的熱導率更高，結到散熱器的熱阻（R _thJH）最多可以降低 40%。在 CoolSiC Easy 模組中，該新型 AIN 陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結溫，進而可以延長系統壽命。

供貨情況

EasyDUAL CoolSiC MOSFET 模組 FF11MR12W1M1_B70 和 FF6MR12W2M1_B70 現在即可訂購。如欲瞭解更多資訊，敬請訪問 www.infineon.com/easy。

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INFIPC202104-062

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英飛淩推出採用高性能 AIN 陶瓷的新 EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET 功率模組，助力提升功率密度和實現更緊湊的設計。

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英飛淩推出採用高性能 AIN 陶瓷的新 EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET 功率模組，助力提升功率密度和實現更緊湊的設計。

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